自偏置与启动电路

自偏置(self-biased)电路用正反馈环路从电源产生偏置电流,无需外部参考;代价是存在零电流简并态,因此必须配套启动电路(startup circuit)。本页基于 Gray §4.7.5-4.7.6,并综合 Rincon-Mora 与 Ivanov 的工程判据。

前后关系

前置知识:电流镜基础与Cascode电流镜(M3-M4 1:1 镜像)、双极晶体管大信号特性( 温度项) 后续延伸:偏置网络系统设计(多支路分配与 PSRR)、带隙基准设计(基准源应用) 外部关联:基准源知识地图(本页所属 hub)

原理与推导

β 倍乘自偏置

利用平方律解得:

  • ,与 一阶无关
  • 依赖迁移率与电阻绝对值 → 精度受工艺角影响
  • 温度系数可由 的温度行为调节,部分设计中可接近零 TC

零电流简并态

环路存在两个稳态:正常工作态 与零态 。

Brokaw 判据:若能在电路图上画一条闭合线穿过电源总线、且只穿过 MOS 漏极或 BJT 集电极,则存在全关断的第二稳态。该判据把”是否需要启动电路”变成画图即可判断的问题。

启动电路

按 Rincon-Mora §2.2 的工程分类:

类型机制代价
连续导通型大电阻/弱器件持续注入小电流永久静态功耗
状态依赖型仅在零态时注入,正常后完全断开需检测与关断路径

设计要点:

  1. 启动后启动管必须完全关断(否则持续漏电并影响精度)
  2. 上电过程需检查双反馈环路的稳定性(自偏置本质是正反馈 + 负反馈复合系统)
  3. SPICE 需验证启动时间与关断状态;AC 仿真无法检测启动问题,需瞬态 + 多初值仿真
  4. 低温/慢角是启动最恶劣工况(迁移率低、环路增益低)

设计检查清单

  • 全工艺角下启动时间 < 规格(含慢角、低温)
  • 正常态启动管漏电 < 静态电流的 1%
  • 环路小信号稳定性(启动瞬间无振荡)
  • 电源缓慢上升(dV/dt 扫描)与快上电两种场景
  • 简并态是否存在(Brokaw 判据画图核对)

参考文献

  1. P. R. Gray et al., Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, 5th ed., §4.7.5-4.7.6.
  2. G. A. Rincon-Mora, Voltage References, Ch.2 §2.2.
  3. V. Ivanov, Operational Amplifier Speed and Accuracy Improvement, §3.7.