| pn结耗尽区分析 | pn 结耗尽层宽度、内建电势、耗尽电容 C_j、雪崩击穿与倍增因子 M | 模拟电路, pn结, 耗尽区, 击穿 |
| 双极晶体管大信号特性 | Ebers-Moll 方程、Early 效应、饱和区、击穿电压 BV_CBO/BV_CEO、β_F 与 I_C 关系 | 模拟电路, 双极晶体管, BJT, Ebers-Moll, 击穿 |
| 双极晶体管小信号模型 | Hybrid-π 模型参数 g_m/r_π/r_o、基区充电电容 C_b、寄生 C_μ/C_je/C_cs/r_b/r_c | 模拟电路, 双极晶体管, BJT, Hybrid-π, 小信号 |
| MOS晶体管模型与特性 | 平方律模型、工作区划分、跨导 g_m、体效应 g_mb、输出电阻 r_o、本征电容 C_gs/C_gd、f_T | 模拟电路, MOS, 跨导, 体效应, 频率响应 |
| 短沟道效应与弱反型 | 速度饱和、迁移率退化、DIBL、亚阈值指数导电、g_m/I_D 效率、衬底电流 | 模拟电路, MOS, 短沟道, 弱反型, 速度饱和 |
| IC制造基础工艺 | 扩散、光刻、外延生长、离子注入、局部氧化、多晶硅沉积等 IC 基础工艺原理 | 模拟电路, IC工艺, 扩散, 光刻, 外延, 离子注入 |
| 双极IC工艺与器件结构 | 结隔离双极工艺、集成 npn 与横向/衬底 pnp 晶体管结构、埋层/寄生参数 | 模拟电路, 双极工艺, npn, pnp, 结隔离, 埋层 |
| 双极无源元件与工艺改进 | 扩散电阻、夹层电阻、MOS/MIM 电容、齐纳二极管、介质隔离、薄膜电阻 | 模拟电路, 双极工艺, 电阻, 电容, 齐纳, 介质隔离 |
| CMOS工艺与器件 | N-well/双阱 CMOS 流程、NMOS/PMOS 结构、多晶硅栅、阱电阻/电容、闩锁效应预防 | 模拟电路, CMOS, 工艺, 阱, 栅氧, 闩锁 |
| BiCMOS技术HBT与互连 | BiCMOS 融合工艺、SiGe HBT 原理、RC 互连延迟缩放、制造良率与成本分析 | 模拟电路, BiCMOS, HBT, SiGe, 互连延迟, 良率 |
| 单管放大级 | CE/CS/CB/CG/CC/CD 六种基本组态、发射极/源极退化、二端口参数对比 | 模拟电路, 放大器, CE, CS, CB, CG, CC, CD, 退化 |
| Cascode与多管放大级 | 达林顿管、Cascode 消除 Miller 效应、有源 Cascode 提升输出电阻、超源随器 | 模拟电路, Cascode, 有源Cascode, Darlington, 超源随 |
| 差分放大器与失调分析 | 差分对 DC 传输、差模/共模半电路分析、CMRR、失调 Pelgrom 模型 | 模拟电路, 差分对, CMRR, 失调, 共模抑制 |
| 电流镜基础与Cascode电流镜 | 基本电流镜、Cascode/Wilson/有源Cascode 电流镜、输出阻抗 g_m r_o²、电流导向 | 模拟电路, 电流镜, Cascode, Wilson, 输出阻抗 |
| 有源负载差分放大器 | 有源负载差分对实现差分-单端转换、增益 g_m·(r_o_n∥r_o_p)、大/小信号分析 | 模拟电路, 有源负载, 差分放大器, 高增益 |
| 偏置电路与电流基准 | V_BE/R 基准、PTAT ΔV_BE=V_T ln(m)、带隙 V_REF=V_BE+KΔV_BE、自偏置、启动电路 | 模拟电路, 偏置, 电流基准, 带隙, PTAT |
| 输出级设计 | 射随/源随缓冲、Class A/B/AB 推挽、交越失真、VBE 倍乘器偏置、短路/SOA 保护 | 模拟电路, 输出级, 推挽, Class AB, VBE倍乘器 |
| 两级Miller运放设计 | 两级 MOS/BJT/BiCMOS 运放、极点分裂 ω_p1’≈1/(g_m2 R_1 R_2 C_c)、RHP 零点消除、NE5234 设计实例 | 模拟电路, 运放, Miller补偿, 两极运放, NE5234 |
| 套筒与折叠Cascode运放 | Telescopic Cascode 单级高增益、Folded-Cascode 宽输入共模与摆幅、设计考虑 | 模拟电路, 运放, OTA, Telescopic, Folded Cascode |
| 集成电路噪声分析 | 前置知识： - 双极晶体管小信号模型（§1.4）— BJT 小信号参数 - MOS晶体管模型与特性（§1.5-§1.6）— MOS 小信号参数和 gm - 单管放大级（§3.3）— 基本放… | 模拟电路, 噪声, 热噪声, 散粒噪声, 1/f噪声, 输入参考噪声 |
| Binkley Ch2 — MOS全反型区设计 | 1. MOS vs 双极设计复杂度对比：双极晶体管只需选择集电极电流 IC（gm/IC = 1/UT \approx 38.6, \text{V}^{-1} 恒定），而 MOS 晶体管需… | 模拟电路, CMOS设计, Binkley, 反型系数, 跨导效率, EKV |
| Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（上） | 传统设计选择 ID、W、L，但 ID 和 W 的改变都会影响 IC，使优化方向模糊。Binkley 的方法将 ID、IC、L 作为独立、非耦合的设计自由度，W 由三者显式计算： | 模拟电路, CMOS设计, Binkley, 反型系数, 工艺参数, 跨导 |
| Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（下） | C{GOX} = C{ox}’ \cdot W \cdot L | 模拟电路, CMOS设计, Binkley, 噪声, 失配, 电容 |
| Binkley Ch4 — MOS性能权衡与差分对电流镜设计 | IC-L 二维平面的四个角对应四种策略方向： | 模拟电路, CMOS设计, Binkley, 差分对, 电流镜, FOM |
| Binkley Ch5 — CMOS OTA优化设计 | - 差分输入对 + 电流镜负载 - 所有器件在给定版本中工作于相同 ID、IC、L - 适合通用设计，非输入器件不主导噪声/失配 | 模拟电路, CMOS设计, Binkley, OTA, 运算跨导放大器, 设计优化 |
| Binkley Ch6 — 微功耗低噪声前置放大器 | SOI CMOS 工艺中的横向双极晶体管（Lateral BJT）在低频率下具有极低的闪烁噪声（无 Si-SiO₂ 界面态的 1/f 噪声），适合超低噪声前置放大器输入级。 | 模拟电路, CMOS设计, Binkley, 前置放大器, 低噪声, 微功耗 |
| Binkley Ch7 — 优化方法扩展到小尺寸工艺 | gm/ID vs V{EFF} 和 V{DSsat} vs IC 在所有 CMOS 工艺中呈现近通用行为： | 模拟电路, CMOS设计, Binkley, 工艺缩放, 栅漏电流, 非CMOS技术 |
| 宽带放大器技术 | Cherry-Hooper 跨阻级 GHz 带宽、电感峰化 1.8× 拓展、多路并联/极零对消、VGA 增益控制 | 模拟电路, 宽带, Cherry-Hooper, 电感峰化, 增益控制 |
| 射频放大器与LNA设计 | 调谐放大器 ω_0=1/√LC、源极退化 CS-LNA Z_in=ω_T L_s、CG 1/g_m 宽带匹配、并联反馈 LNA、NF-IP3 折衷 | 模拟电路, 射频, LNA, 输入匹配, 噪声系数 |
| 反馈放大器基础 | 四类反馈拓扑（串-并/并-并/串-串/并-串）、Return Ratio、Blackman 阻抗定理、加载效应 | 模拟电路, 反馈, 四类拓扑, 加载效应, Return Ratio |
| 反馈放大器稳定性与频率补偿 | 相位裕度&过冲、Nyquist 判据、主导极点/Miller/Cascode/前馈补偿、补偿设计流程 | 模拟电路, 反馈, 稳定性, 相位裕度, Nyquist |
| 峰值电流控制原理与建模 | 峰值电流控制完整分析：KBM算法逐步骤推导、稳定/不稳定波形定量描述(扰动传播α=0.65)、数字实现量化效应/计算延迟/预测算法、CCM统一稳定性判据(m2/m1)、斜坡补偿优化设计(mc,min/mc,opt/自适应)、电流检测延迟量化影响、控制-输出/音频敏感度传递函数；完整2×2小信号传递函数矩阵、数字z域模型、与电压模式前馈内在联系；Ridley采样保持模型、三电平稳定性分析框架(调制器增益/电流环增益/完整动态)、KBM高阶纹波(二阶Ψ2构造)、其他电流模式控制方法分类、EMI滤波器设计实例、特征方程闭合形式稳定性分析 | PWM, 峰值电流控制, 电流模式控制, 次谐波不稳定性, KBM, 斜坡补偿 |
| 运算放大器设计 | op-amp 设计核心指标、拓扑对比、设计流程 | 模拟电路, 运放设计 |
| 频率补偿技术 | Miller/Cascode/嵌套 Miller 等补偿方法 | 模拟电路, 运放设计, 频率补偿 |
| 失调消除技术 | Auto-Zeroing/Chopping/数字校准对比 | 模拟电路, 运放设计, 失调消除 |
| 全差分运放与共模反馈 | 全差分 vs 单端优势（摆幅 2×/CMRR/偶次失真消除）、三种 CMFB 拓扑（电阻平均/MOS 二极管/SC CMFB）、全差分两级/Cascode OTA 设计 | 模拟电路, 运放设计, 全差分, CMFB, CMRR |
| 精密仪表放大器 | 三运放/电流反馈/电容耦合 IA 架构 | 模拟电路, 仪表放大器, 精密 |
| 数据转换器基础 | 采样/量化 SQNR=6.02N+1.76dB、Flash/SAR/Pipeline/算法 ADC、电流舵/电阻串/R-2R DAC、校准 | 模拟电路, 数据转换器, ADC, DAC, Nyquist |
| 过采样转换器需求 | 奈奎斯特率转换器的精度瓶颈与过采样转换器的动机 | ΔΣ, 数据转换器, 过采样 |
| CMOS工艺缩放对模拟电路的影响 | CMOS 缩放对数字（充分受益）与模拟（V_DD↓/DR↓/功耗↑）的非对称影响及数字辅助模拟技术 | 模拟电路, CMOS, 工艺缩放, 数字辅助模拟 |
| kTC噪声与模拟动态范围 | 一阶 LPF 总噪声 v_o²=kT/C（与 R 无关！），DR 公式，1 额外 bit → 4× C → 4× 功耗的缩放律 | 模拟电路, 噪声, kT/C, 动态范围, 热噪声 |
| 信号流图技术与梯形滤波器设计 | SFG 将 RLC 原型精确转换为积分器型有源滤波器；双端接 LC 梯形灵敏度远低于级联 Biquad（~11× 改善） | 模拟电路, 滤波器, SFG, 梯形滤波器, 灵敏度 |
| 积分器非理想性与Q值效应 | 有限 DC 增益→相位超前→Q↓→下垂；非主导极点→相位滞后→Q↑→尖峰；Q_int≈1/(1/a₀−Σ(ω₀/ωₚᵢ)) | 模拟电路, 积分器, 非理想性, Q值 |
| 滤波器基础规格与品质因数 | 滤波器分类、规格参数体系、Q 的三种定义（元件 Q/极点 Q/带通 Q）、群延迟与线性相位 | 模拟电路, 滤波器, Q, 群延迟 |
| 滤波器类型对比与选择 | Butterworth/Chebyshev I&II/Elliptic/Bessel 五类滤波器特性、对比表、选择策略（含 DSP 组合选择） | 模拟电路, 滤波器, Butterworth, Chebyshev, Elliptic, Bessel |
| 有源双二次节与积分器型滤波器 | Sallen-Key（单运放/寄生敏感）/Tow-Thomas（三运放/通用 Biquad）/积分器型 Biquad，高阶滤波器构建策略 | 模拟电路, 滤波器, Biquad, Sallen-Key, Tow-Thomas |
| 连续时间Gm-C滤波器与片上自动调谐 | Gm-C 积分器、源耦合对 Gm 单元线性度分析（HD3/IM3）、主-从 PLL 自动调谐、电容阵列调谐 | 模拟电路, 滤波器, Gm-C, 连续时间, 自动调谐, EE247 |
| 开关电容积分器与SC滤波器 | SC 电阻等效 R_eq=1/(f_s·C_s)、DDI 积分器 z 域传递函数、幅相误差、寄生不敏感 SC 积分器、SC 滤波器设计流程 | 模拟电路, 滤波器, 开关电容, SC, 积分器, EE247 |
| DAC架构与动态性能 | 电阻串/电荷定标/R-2R/电流舵五种 DAC 架构、单元元件 vs 二进制加权、毛刺能量 ∝ dt·2^{B-1}、动态非理想性缓解技术 | 模拟电路, 数据转换器, DAC, 电流舵, 分段架构, EE247 |
| 采样开关与跟踪保持电路 | 慢/快时钟电荷注入模型、时钟馈通、底极板采样、T/H 开环/闭环架构、孔径抖动 SNR 限制 SNR_j=-20log(2πf_in·σ_j) | 模拟电路, 采样, T/H, 电荷注入, 跟踪保持, EE247 |
| Flash ADC与比较器设计 | Flash 并行比较器架构、StrongARM 锁存器、再生时间 t_latch≈τ_L·ln(V_DD/2ΔV)、回踢噪声、插值/折叠降低复杂度 | 模拟电路, 数据转换器, ADC, Flash, 比较器, EE247 |
| 子区式ADC与循环ADC | 两步式粗/细量化、1.5-bit/级过范围设计、算法 ADC 逐位循环操作、最小面积但最慢速度 | 模拟电路, 数据转换器, ADC, 子区式, 循环ADC, EE247 |
| 流水线ADC架构 | 流水线级展开、数字校正容忍 Sub-ADC 误差、尾级电容缩放优化、1.5-bit/级实现、FoM=P/(2^{ENOB}·f_s) | 模拟电路, 数据转换器, ADC, 流水线, Pipeline, EE247 |
| 过采样ΣΔ调制器基础——从EE247视角 | 过采样降噪、一阶/二阶 ΣΔ NTF 分析、MASH 级联、高阶 ΣΔ 稳定性与 NTF 综合、极限环/Dither、带通 ΣΔ | 模拟电路, 数据转换器, ΣΔ, 过采样, 噪声整形, EE247 |
| 一阶ΔΣ调制器 | 咖啡店/词典两个类比揭示 ΔΣ 核心思想，含 NTF/STF 分析 | ΔΣ, 数据转换器, 调制器, 一阶 |
| 采样理论基础 | 采样定理、DTFT、抗混叠、OSR 定义，ΔΣ 理论的数学起点 | ΔΣ, 数据转换器, 采样定理, 奈奎斯特 |
| 量化器理论与线性模型 | Mid-rise/mid-tread 量化器、加性白噪声模型、最佳增益、过载与脱敏效应 | ΔΣ, 数据转换器, 量化, 线性模型 |
| 过采样数字滤波降噪 | 纯过采样 + 数字滤波降噪原理，OSR 倍降噪、0.5 bit/倍频 | ΔΣ, 数据转换器, 过采样, 数字滤波 |
| 反馈噪声整形与MOD1深度分析 | 反馈 Catch-22、积分器解、NTF/STF 推导、h[0]=1 约束、本征线性 | ΔΣ, 数据转换器, 噪声整形, MOD1 |
| MOD1非线性行为与空闲音 | 线性模型失效、Idle Tone 生成、死区效应、稳定性分析 | ΔΣ, 数据转换器, MOD1, Idle Tone |
| ΔΣ误差反馈结构 | 替代 MOD1 实现，模拟实现极脆弱，数字 DAC 中优势明显 | ΔΣ, 数据转换器, 误差反馈 |
| 二阶ΔΣ调制器MOD2原理 | MOD2 级联推导、NTF=(1-z⁻¹)²、IBN∝OSR⁻⁵、2.5 bit/倍频 | ΔΣ, 数据转换器, 二阶调制器, MOD2 |
| MOD2仿真与有效量化器增益 | 仿真偏差、k≠1 的有效 NTF 公式、NTF_k(z) 推导 | ΔΣ, 数据转换器, MOD2, 量化器增益 |
| MOD2非线性效应与谐波失真 | QTC 压缩特性、三次近似 k₁ν+k₃ν³、HD₃ 定量推导 | ΔΣ, 数据转换器, MOD2, 谐波失真 |
| MOD2稳定性与死区分析 | Hein-Zakhor 状态界、增益平方效应 1/A²、死区数学推导 | ΔΣ, 数据转换器, MOD2, 稳定性 |
| MOD2替代架构 | Boser-Wooley/Silva-Steensgaard/EFB/Noise-Coupled 对比 | ΔΣ, 数据转换器, MOD2, 架构 |
| 广义二阶结构与最优NTF设计 | NTF 零点分裂、最优零点 ω_opt、3.5 dB SQNR 提升 | ΔΣ, 数据转换器, 广义二阶, NTF 优化 |
| 高阶ΔΣ调制器稳定性与MSA | 量化器过载→有效增益下降→根轨迹失稳，MSA 斜坡估计法 | ΔΣ, 数据转换器, 高阶调制器, 稳定性, MSA |
| 高阶ΔΣ调制器NTF系统化设计 | NTF 极点移动改善 MSA，Butterworth 6 步设计法 | ΔΣ, 数据转换器, 高阶调制器, NTF, 系统化设计, OBG |
| 高阶NTF零点优化与Bode积分 | 最优零点分布（L=8 提升 34 dB）、Bode 灵敏度积分约束 | ΔΣ, 数据转换器, NTF, 零点优化, Bode积分 |
| 单比特高阶ΔΣ调制器与Lee准则 | ‖NTF‖∞<1.5 经验规则，1-bit 经验 SQNR 上限曲线 | ΔΣ, 数据转换器, 单比特, Lee准则, 1-bit |
| CIFB与CRFB反馈环路滤波器拓扑 | 分布式反馈积分器级联，动态范围缩放，谐振器 CRFB | ΔΣ, 数据转换器, 环路滤波器, CIFB, CRFB |
| CIFF与CRFF前馈环路滤波器拓扑 | 前馈求和积分器级联，CIFF-B 混合拓扑对比 | ΔΣ, 数据转换器, 环路滤波器, CIFF, CRFF |
| ΔΣ环路状态空间描述 | ABCD 矩阵仿真框架，Toolbox 核心数据模型 | ΔΣ, 数据转换器, 状态空间, ABCD矩阵 |
| 多级ΔΣ调制器与Leslie-Singh结构 | L0 级联结构，用”测量并取消”替代”滤除”量化噪声 | ΔΣ, 数据转换器, 多级调制器, Leslie-Singh, 噪声取消 |
| MASH级联ΔΣ调制器原理 | 两阶/三阶 MASH 的取消条件和 2-2/3-3 MASH 示例分析 | ΔΣ, 数据转换器, MASH, 级联调制器, 数字取消 |
| MASH噪声泄漏与失配效应 | 电容失配 Δ 和运放增益 A 对取消条件的影响及泄漏泰勒级数 | ΔΣ, 数据转换器, MASH, 噪声泄漏, 失配 |
| Sturdy-MASH鲁棒级联架构 | 用”噪声整形”替代”噪声取消”，以 3 dB 增量换取对模拟精度的低敏感 | ΔΣ, 数据转换器, MASH, SMASH, 鲁棒级联 |
| 噪声耦合ΔΣ架构 | 提取 e[n] 延迟反馈，等效额外积分器，降低 opamp 数量 | ΔΣ, 数据转换器, 噪声耦合, Noise-Coupling |
| 分裂与交叉耦合ΔΣ调制器 | Split/NCS/NCTI 三种分裂架构，利用不相关性实现”几乎免费”的噪声整形 | ΔΣ, 数据转换器, 分裂调制器, 交叉耦合, NCS, NCTI |
| 高阶ΔΣ调制器与NTF | L 阶调制器噪声整形分析、稳定性挑战、设计权衡 | ΔΣ, 数据转换器, 高阶调制器, NTF |
| 高阶失配整形原理 | 向量基 VQ 与树形高阶 DEM，MTF(z) 设计、稳定性与 MNP 信号依赖性 | ΔΣ, 数据转换器, 失配整形, 高阶DEM, VQ |
| MASH ΔΣ调制器 | 多级级联实现高阶整形和低阶稳定性的方法与失配挑战 | ΔΣ, 数据转换器, MASH, 级联 |
| MASH调制器非理想性与设计深化 | MASH（Multi-stAge noise-SHaping）通过级联 p1 阶和 p2 阶两个 ΣΔ 调制器实现 (p1 + p2) 阶噪声整形： | ΔΣ, 数据转换器, MASH, 非理想性, 运放有限增益, 级间缩放 |
| 旋转实现与替代失配整形拓扑 | 对数移位器/参考加扰实现电路，Butterfly/Bi-DWA/树形四种一阶 DEM | ΔΣ, 数据转换器, 失配整形, 旋转实现, Bi-DWA |
| 失配整形与多bit ΔΣ调制器 | DAC 单元失配的噪声整形技术、DWA/DEM 算法 | ΔΣ, 数据转换器, 失配整形, 多bit |
| CT-ΔΣ调制 | 连续时间 ΔΣ 调制原理、隐含反混叠、ELD 挑战 | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, 连续时间 |
| CT-ΣΔ调制器电路实现技术 | 多 bit ΣΔ 调制器中，ADC 可用多 bit（高 SQNR），但反馈 DAC 受单元匹配限制。SNR 增强技术使用 n-bit ADC + m-bit DAC（m < n）： | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, 连续时间, MOSFET-C, Gm-C |
| DAC失配问题与旋转选择DWA原理 | 从失配问题到 DWA 旋转选择，M 元素一阶整形与 MNP 定量分析 | ΔΣ, 数据转换器, 失配整形, DWA, 旋转选择 |
| DEM电路实现与抽取插值滤波 | 电流分割器（Fig. 8.14）用 M1-M2 对管将电流 I 分割为 I1 和 I2： | ΔΣ, 数据转换器, DEM, DWA, ILA, 蝶形随机化 |
| 三电平分段DAC与过渡误差整形 | 三电平 DEM、分段加扰节省硬件、CT DAC 过渡误差建模与整形 | ΔΣ, 数据转换器, 三电平DAC, 过渡误差整形, TES |
| SCΔΣ调制器的高层设计与开关电容积分器 | SC ΔΣ ADC 从 NTF 选择到积分器电路实现，含 SCMOD2 高层设计与寄生不敏感 SC 积分器 | ΔΣ, 数据转换器, SC, 积分器, 高层设计 |
| SCΔΣ调制器的电容尺寸与放大器设计 | 基于 kT/C 噪声的电容尺寸、折叠共源共栅 OTA 的摆率/建立/增益设计及中间验证 | ΔΣ, 数据转换器, SC, 放大器, 电容, 噪声 |
| SCΔΣ调制器的开关比较器时钟与全系统调试 | 开关设计、StrongARM 比较器亚稳态、底极板采样时钟、全集成调试实例 | ΔΣ, 数据转换器, SC, 开关, 比较器, 时钟 |
| 高阶SC调制器与多bit量化及高级电路技术 | 高阶 SC 调制器电容优化、多 bit Flash/SAR、自举开关、双采样、增益提升、分裂控制放大器与堆叠技术 | ΔΣ, 数据转换器, SC, 高阶, 多bit, 自举, 双采样 |
| CT-ΔΣ调制基础与一阶CT-MOD1 | CT-MOD1 的脉冲不变变换、隐含反混叠、STF 零点、s=ln(z) 极点映射 | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, MOD1, 脉冲不变, 隐含反混叠 |
| 高阶CT-ΔΣ调制与DAC脉冲形状效应 | CT-MOD2 系数求解、DAC 脉冲面积/延迟/矩对 NTF 的影响、Pavan 矩方法 | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, MOD2, DAC脉冲, 矩方法 |
| CT-ΔΣ环路滤波器拓扑与建模方法 | CT 域 CIFB/CIFF/CIFF-B/CRFB 拓扑对比、状态空间建模、离散化、动态范围缩放 | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, 拓扑, CIFB, CIFF, 状态空间 |
| CT-ΔΣ设计实例 | 三阶 CIFF CT-ΔΣ 从 NTF 综合到动态范围/频率缩放的完整 MATLAB 设计流程 | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, 设计实例, MATLAB |
| CT-ΔΣ过量延迟分析与补偿 | CT-ΔΣ 过量延迟（ELD）的物理来源、对 MOD1/MOD2/高阶调制器的影响及基于 Taylor 级数的通用 ELD 补偿方法 | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, ELD, 过量延迟, 补偿 |
| CT-ΔΣ时间常数变化与时钟抖动 | RC 时间常数变化对 NTF 的影响与 RC 调谐方法；时钟抖动在 DT 和 CT-ΔΣ 中的不同机制、NRZ/RZ/单比特/相位噪声分析 | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, RC变化, 时钟抖动, 相位噪声 |
| CT-ΔΣ时钟抖动缓解与FIR反馈DAC | 冲击/SC DAC 抖动特性、FIR 反馈 DAC 原理、半数字实现、NTF 精确恢复、系数修正公式（矩方法）与抽头数设计边界 | ΔΣ, 数据转换器, CT-ΔΣ, 时钟抖动, FIR DAC, 半数字 |
| CT-ΔΣ比较器亚稳态分析 | StrongARM 锁存再生模型、信号相关延迟（t_delay = τ·ln(Vdd/2 | ΔV(0) |
| 带通ΔΣ调制器 | 通过频率变换实现窄带 IF/RF 信号直接数字化 | ΔΣ, 数据转换器, 带通, BP-ΔΣ |
| 增量型ΔΣ转换器 | 周期复位实现独立逐样本操作，适合多路复用 | ΔΣ, 数据转换器, IADC, 增量型 |
| ΔΣ DAC | 全数字调制器 + 粗量化 DAC 实现高精度数模转换 | ΔΣ, 数据转换器, DAC, 数字调制 |
| ΔΣ调制器中的抽取与插值滤波 | ΔΣ 系统的数字后处理：Sinc/CIC 滤波器、采样率转换 | ΔΣ, 数据转换器, 抽取, 插值 |
| ΔΣ调制器性能FoM | Walden/Schreier 两种品质因数的定义、物理意义、对比 | ΔΣ, 数据转换器, FoM, 性能指标 |
| ΔΣ调制器发展史 | 从 Δ 调制到 2020s CT-ΔΣ 的 70 年演进 | ΔΣ, 数据转换器, 历史 |
| CT-ΔΣ积分器实现与OTA架构 | 三种积分器拓扑对比、单级OTA-RC有限Gm/RHP零点、Miller与前馈补偿、Barkhausen悖论 | ΔΣ, CT-ΔΣ, 积分器, OTA, 频率补偿 |
| CT-ΔΣ器件噪声分析与噪声预算分配 | CT-ΔΣ 热噪声模型、STF 反混叠保护、约75%热噪声预算分配规则 | ΔΣ, CT-ΔΣ, 噪声, 热噪声, 噪声预算 |
| CT-ΔΣ比较器与反馈DAC设计 | Flash/SA/StrongARM 比较器对比、5种DAC拓扑（电阻性/RZ/RTO/电流舵/SC）及ISI分析 | ΔΣ, CT-ΔΣ, 比较器, DAC, ISI |
| CT-ΔΣ系统化设计定心与闭环拟合 | 开环拟合病态性（系数随N剧烈变化）、闭环拟合鲁棒性（pole-zero cancellation）和数值方法 | ΔΣ, CT-ΔΣ, 设计定心, 闭环拟合, NTF恢复 |
| CT-ΔΣ环路滤波器非线性分析与辅助运放技术 | α缩放电流注入法分离线性和三次响应、辅助运放消除大摆幅非线性的电路技术 | ΔΣ, CT-ΔΣ, 非线性, 电流注入, 辅助运放 |
| 16-bit音频CT-ΔΣ调制器设计实例 | 16-bit 24kHz音频CT-ΔΣ，单比特+12-tap FIR DAC，CIFF-B拓扑，180nm/280μW/98.2dB SNDR | ΔΣ, CT-ΔΣ, 设计实例, FIR DAC, CIFF-B, 音频 |
| CT-ΔΣ N-Path斩波与FIR反馈组合技术 | LPTV 系统分析框架、N-Path 原理（奇数 N→2N 区间）、FIR+N-Path 组合（fc=fs/(2MN)）、20log(N) dB 增益改善、路径失配鲁棒性 | ΔΣ, CT-ΔΣ, N-Path, 斩波, FIR DAC, LPTV |
| 无复位ΔΣ ADC技术 | 不重置 DSM 实现多通道无串扰 ADC、π-shifted 滤波器、零串扰条件、Modulated-Sinc-Sum 均衡器 | ΔΣ, 无复位, 多通道, π-shifted, 串扰消除 |
| IADC原理与动机 | IADC 核心思想（周期复位）、六项关键需求、双斜率/ΔΣ/IADC 对比表、ADC 工作区域图 | ΔΣ, IADC, 增量型ADC, Nyquist, 复位 |
| 单级IADC时域分析与设计流程 | 三阶 CIFF IADC 结构、三重求和时域公式、缩放因子 G=6/M³、z 域 NTF 分析、L 阶通用 SQNR 公式 | ΔΣ, IADC, 单级, CIFF, 时域分析, z域 |
| IADC数字滤波器优化与噪声联合优化 | 级联累加器数字滤波器实现、热噪声 P_th 矩阵建模、量化噪声 P_q 矩阵建模、Lagrange 最优 h_opt、M=2ⁿ 简化设计、工频抑制 | ΔΣ, IADC, 数字滤波器, 热噪声, 量化噪声, 优化 |
| 多级IADC与扩展计数ADC | MASH IADC 原理、扩展计数 ADC（x₃[M] 直接残差获取）、两步式 IADC（N→2N-1 阶扩展）、Agah 2010/Chen 2015 参考设计 | ΔΣ, IADC, MASH, 扩展计数, 两步式, 多级 |
| IADC设计实例22-bit单比特与两步式 | 22-bit 单比特 IADC（旋转电容 DEM、分形序列 S₃ 失调消除、改进型 Sinc）、两步式 IADC（M=192, 65nm, 10.7μW, 99.8dB DR）、实例对比表 | ΔΣ, IADC, 设计实例, 22-bit, 两步式, DEM, 分形序列, 改进型Sinc |
| Jitter基本概念与定义 | 四种基本 jitter 定义（absolute/relative/period/N-period）、cycle-to-cycle、TE/TIE/MTIE、各类型间数学关系、眼图 | Jitter, 时钟抖动, 绝对抖动, 周期抖动, N-period, 眼图 |
| Jitter统计分析与RJ-DJ分解 | 直方图→PDF 转换、mean/median/RMS/peak-peak、四种典型 PDF（Gaussian/uniform/sinusoidal/Dirac）、RJ/DJ 分类树（DDJ/DCD/BUJ/PJ/SJ）、PDF 卷积组合、Total Jitter 与 BER 的 Dual-Dirac 模型 | Jitter, 统计分析, RJ, DJ, BER, Dual-Dirac |
| Jitter与Phase Noise关系 | Excess phase φ(t) 概念、相位噪声定义 L(f)=10log(S_φ/2)、随机噪声→excess phase、调制→excess phase、相位噪声→各类 jitter 转换公式（absolute/N-period/period）、杂散谱叠加、相位噪声典型区域 | Phase Noise, Jitter, Excess Phase, dBc/Hz, 抖动频谱 |
| 电路中的Jitter与Phase Noise | 噪声电流充电容、CMOS 反相器/差分对 jitter、环形振荡器随机游走、Leeson 模型、LC/晶体振荡器、ISF-LTV 分析（Hajimiri-Lee）、振荡器 FoM、理想分频器/倍频器 jitter 特性 | Jitter, Phase Noise, Leeson模型, ISF, LC振荡器, 环形振荡器, 分频器 |
| Jitter对同步数字电路的影响 | 同步时序 setup/hold 约束含 jitter、门控/分频/使能时钟、多周期路径 jitter 累积、锁存器同步设计（time borrowing） | Jitter, 数字电路, 同步时序, setup, hold, 多周期路径 |
| Jitter对数据转换器的影响 | NRZ/RZ/积分型 IDAC jitter、Nyquist ADC 采样抖动 SNR 退化公式 SNR_j=20log(1/(2πf_in σ_j))、TI-ADC 时序偏斜→带内杂散、CT-ΔΣ 调制器抖动（Flash ADC/DAC 定时误差） | Jitter, 数据转换器, IDAC, Nyquist ADC, TI-ADC, CT-ΔΣ, 采样抖动 |
| Wireline系统中Jitter与CDR | 模拟 CDR 线性模型（jitter transfer/generation/tolerance）、Bang-bang CDR（增益非线性、稳定性）、信道 ISI→DDJ、Jitter 监测（眼图/相对/绝对测量）、有意 jitter 注入 | Jitter, Wireline, CDR, Bang-bang PD, 时钟恢复, jitter tolerance |
| 无线系统中Phase Noise影响 | 收发机基础架构、发射机 VCO 相位噪声（ACLR/EVM）、接收机 Reciprocal Mixing 定量分析、灵敏度退化、无线标准相位噪声需求 | Phase Noise, 无线, VCO, 倒易混频, blocker, 接收机灵敏度 |
| Jitter与Phase Noise高级统计概念 | 相位噪声→jitter 通用频域转换、置信区间（mean/variance/peak-peak）、Allan 偏差（识别噪声类型）、Modified Allan 偏差/TDEV、闪烁噪声（1/f 上变）、Lorentzian 振荡器谱 | Jitter, Phase Noise, 置信区间, Allan偏差, 闪烁噪声, Lorentzian谱 |
| Jitter数值方法与Matlab仿真 | 各类相位噪声谱的 jitter 生成（flat/LP/HP/1/f²/1/f/1/f³/complex）、时间向量→各类 jitter 计算、jitter 样本→相位噪声谱（周期图法）、Tail Fitting 算法（RJ/DJ 分离）、附录 B Matlab 代码 | Jitter, 数值方法, Matlab, Tail Fitting, 噪声生成, 仿真 |
| PLL基本结构与传递函数 | PLL三大要素（PD/LF/VCO）、开环/闭环/误差传递函数 G(s)/H(s)/E(s)、Type 1/2/3 PLL、二阶 type 2 参数 ω_n/ζ/K、频率响应与增益峰值 | PLL, 锁相环, 传递函数, 二阶环路, Gardner |
| PLL图形化分析与稳定性判据 | 根轨迹法分析 Type 1/2/3 PLL、Bode 图相位裕度/增益裕度、Nyquist 图、Nichols 图 M-等高线、环路延迟影响 | PLL, 稳定性, 图形分析, 根轨迹, Gardner |
| 数字PLL传递函数与稳定性 | DPLL 配置（数字 PD/LF/NCO）、差分方程与 z-变换、G(z)/H(z)/E(z) 传递函数、Type 1/2/3 DPLL 稳定性与根轨迹、Bode 图 | PLL, DPLL, 数字PLL, 传递函数, z变换, Gardner |
| PLL跟踪性能 | 线性跟踪稳态误差（频率阶跃/斜升）、瞬态响应、正弦角调制、非线性跟踪与 hold-in/pull-in 极限 | PLL, 跟踪性能, 稳态误差, Gardner |
| 加性噪声对PLL影响 | 线性噪声模型与 PD 等效噪声、噪声带宽 BL 定义与计算、SNRL、相位误差概率密度、周跳（cycle slips）平均时间 | PLL, 加性噪声, 噪声带宽, 周跳, Gardner |
| 相位噪声对PLL影响 | 振荡器相位噪声谱 W_φ(f)/L(Δf)、PLL 中 VCO/参考噪声传播、集成相位噪声与带宽权衡、定时 jitter 转换 | PLL, 相位噪声, 集成相位噪声, jitter, Gardner |
| PLL锁相捕获过程 | 相位捕获（一阶环/hang-up/lock-in）、频率捕获（牵引/扫描）、鉴频器辅助捕获、锁定指示器 | PLL, 捕获, 锁定, 频率牵引, Gardner |
| 振荡器设计与相位噪声 | Leeson 模型 L(Δω)=10log[FkT/P·(1+(ω_0/2QΔω)²)]、ISF/LTV 分析（Hajimiri-Lee）、VCO 调谐曲线与 FoM | PLL, 振荡器, 相位噪声, Leeson模型, VCO, Gardner |
| PLL鉴相器 | 乘法器 PD（开关型/混合变压器）、PFD 状态图与 s-曲线、序列 PD、噪声中 PD 行为、两相（复数）PD | PLL, 鉴相器, PFD, s-曲线, Gardner |
| 环路滤波器与电荷泵PLL | 有源/无源滤波、DC 偏置与瞬态过载、电荷泵（CP）模型与 P+I 实现、RHP 零点稳定性、CP 电流失配与死区 | PLL, 环路滤波器, 电荷泵, CPPLL, RHP零点, Gardner |
| 数字采样锁相环 | NCO 传递函数 κ_o/(z-1)、混合 PD、复数信号数字 PD、数据接收机 DPLL、量化效应与多速率 DPLL | PLL, 数字采样, NCO, DPLL, 量化效应, Gardner |
| PLL异常锁定现象 | 旁锁（sidelocks）周期性/混叠锁定、谐波锁定、杂散锁定、假锁（false lock）IF 滤波器分析 | PLL, 异常锁定, 假锁, 旁锁, Gardner |
| PLL频率合成器 | 整数-N 基本配置、分频器（模拟/数字）、分数-N（双模/模拟补偿/ΔΣ 调制）、分频器噪声传播 L_out = L_in + 20logN | PLL, 频率合成器, 整数-N, 分数-N, ΔΣ, Gardner |
| Banerjee PLL基础与系统概述 | Ch.1-2: PLL基本操作、电荷泵PLL优势、R/N计数器、无源环路滤波器优势；G23: 完整2.4GHz全流程设计实例（8步：频率规划→带宽/PM选择→滤波器阶数→元件计算→相噪验证→杂散校验→选型→容差分析） | PLL, Banerjee, 电荷泵PLL, 无源环路滤波器, 锁相环基础, 设计实例 |
| Banerjee 鉴频鉴相器理论分析 | Ch.3: PFD线性区分析、Kφ定义、Cycle Slip首次时间计算、连续时间近似、死区 | PLL, Banerjee, PFD, 鉴频鉴相器, 死区, 周期滑步 |
| Banerjee 预分频器与分数N PLL | Ch.4-6: 单模/双模/四模预分频器、分数N PLL原理、ΔΣ分数N PLL | PLL, Banerjee, 预分频器, 分数N, ΔΣ, 频率合成 |
| Banerjee PLL系统级分析 | Ch.7: 无线接收机应用、相位噪声/杂散/锁定时间影响、倒易混频分析 | PLL, Banerjee, 无线接收机, 相位噪声, 杂散, 锁定时间 |
| Banerjee 环路滤波器系数与传递函数 | Ch.8-9: 滤波器系数A0/A1/A2/A3、PLL传递函数G(s)/CL(s)、Gamma优化因子γ | PLL, Banerjee, 环路滤波器, 传递函数, 滤波器系数, Gamma优化 |
| Banerjee 参考杂散与分数杂散分析 | Ch.11-13: 参考杂散成因（泄漏/脉冲/电源）、分数杂散、BaseLeakageSpur模型 | PLL, Banerjee, 参考杂散, 分数杂散, 泄漏杂散, 脉冲杂散 |
| Banerjee PLL相位噪声建模 | Ch.14-15: PLL相位噪声模型、带内/带外噪声源分析、集成相位噪声量；G12: 系统级指标转换（φRMS→EVM/BER转换表、通信标准需求对比表） | PLL, Banerjee, 相位噪声, 集成相位噪声, RMS相位误差, EVM, BER |
| Banerjee PLL瞬态响应与稳定性分析 | Ch.16-19: 锁定时间计算、PFD离散采样影响、Routh稳定性判据、Cycle Slipping；G13: 离散采样PM退化模型（ZOH延迟/φ_eff公式/补偿策略）；G14: 完整Routh数值示例（LMX2315三阶PLL全程计算） | PLL, Banerjee, 锁定时间, 瞬态响应, 稳定性, Cycle Slip, PM退化, Routh |
| Banerjee 无源环路滤波器设计 | Ch.20-23: 二阶/三阶/四阶被动环路滤波器方程与完整设计流程；G16: A系数与元件值双向映射速查表（2nd/3rd/4th阶正反向映射、维度一致性校验） | PLL, Banerjee, 无源环路滤波器, 被动滤波器, 滤波器设计, A系数, 映射 |
| Banerjee 有源环路滤波器设计 | Ch.24-25: 有源环路滤波器设计、差分鉴相器输出应用、运放环路滤波器；G15: CMRR定量分析与设计要求（CMRR→杂散转换、频率响应、差分拓扑优势） | PLL, Banerjee, 有源环路滤波器, 运放, 差分鉴相器, CMRR |
| Banerjee 环路滤波器优化与实现 | Ch.26-31: Gamma优化参数选择、FastLock技术、Cycle Slip Reduction、集成滤波器；G17: Gamma显式数学推导（γ≈ζ²/(1+ζ²)）；G18: ESR/ESL对参考杂散定量退化模型；G19: FastLock完整Mealy状态机（5态/Verilog伪代码/时序波形）；G20: 开关阵列匹配设计（电阻/晶体管匹配/MOS sizing流程） | PLL, Banerjee, Gamma优化, FastLock, Cycle Slip Reduction, ESR, ESL, 状态机, 开关阵列 |
| Banerjee PLL附加主题 | Ch.32-35: 锁定检测、阻抗匹配、晶体振荡器/VCO设计、PCB布局与电源去耦 | PLL, Banerjee, 锁定检测, 阻抗匹配, 晶体振荡器, VCO |
| PLL调制器与解调器 | PLL 调制器（含 ΔΣ PLL 调制器）、PLL 解调器（AM/相位/频率）、FM 噪声与 FM 阈值、clicks 率公式 | PLL, 调制器, 解调器, FM, clicks, Gardner |
| PLL杂项应用 | 数据信号同步、网络时钟、锁定振荡器（稳定化/倍频/转换）、时序偏斜补偿、抖动衰减、电机速度控制 PLL | PLL, 应用, 数据同步, 时钟, Gardner |
| 晶体管电路失真分析 | HD/IM/MOS/BJT失真系统分析、HD2/HD3完整推导、非线性与反馈的交互 | 模拟电路, 失真, 谐波失真, 互调, Sansen, Martin |
| 数字CMOS PLL架构与TDC-DCO设计 | DPLL架构、TDC基础/量化噪声、DCO架构/量化噪声、数字环路滤波器、模拟与数字PLL对应 | PLL, DPLL, TDC, DCO, 数字环路, Razavi PLL |
| 延迟锁定环DLL原理与设计 | DLL基本结构、一阶系统、延迟级数选择、多相位生成、频率倍增DLL、DLL/PLL混合、相位插值/占空比校正 | DLL, 延迟锁定环, VCDL, 多相位, Razavi PLL |
| 时钟与数据恢复CDR原理 | 随机数据特性、边沿检测、Bang-bang/Alexander/Hogge PD、半速率PD、无振荡器CDR、频率捕获、Jitter特性 | CDR, 时钟恢复, Bang-bang PD, Razavi PLL |
| 频率分频器设计 | 静态/动态锁存器、除2电路、双模预分频器、脉冲吞咽/Vaucher、Miller/注入锁定分频器、分数分频、相位噪声 | 分频器, 预分频器, Miller, ILFD, Razavi PLL |
| 跨导线性电路与Gilbert乘法器 | Translinear Loop 原理、Gilbert 乘法器、跨导线性滤波器、RMS-DC 转换器 | 模拟电路, 跨导线性, Gilbert乘法器, 混频器, Martin |
| 离散时间信号与系统 | z 变换、DTFT、采样率转换、离散时间滤波器、S&H 频率响应 | 模拟电路, 离散时间, z变换, DTFT, 采样率转换, Martin |
| ΣΔ调制器行为建模与高层仿真 | SIMSIDES 仿真器、S-function 建模、SC/CT 积分器行为模型、事件驱动仿真 | ΔΣ, 行为建模, SIMSIDES, S-function |
| ΣΔ调制器自动设计与优化 | MOEA/NSGA-II 多目标优化、模拟退火、Pareto 前沿、Lifting/FPGA/GPU 加速 | ΔΣ, 自动设计, MOEA, 优化 |
| ΣΔ调制器电气仿真与宏模型 | SC/CT 宏模型、HSPICE 噪声注入、子电路设计（开关/OTA/DAC） | ΔΣ, 电气仿真, 宏模型 |
| ΣΔ调制器芯片实现与测试 | Layout 规划、测试 PCB、三个设计案例（传感器/接收机/RF） | ΔΣ, 芯片实现, Layout, 测试 |
| 数据转换器测试方法与特性评估 | ATE（Automatic Test Equipment）结构： | 数据转换器, 测试, ATE, 直方图法, 正弦拟合, 最佳拟合线 |
| CMOS智能温度传感器原理 | 智能温度传感器架构、比率测温、曲率校正、CGDB 补偿、DEM 电流密度比 | CMOS, 温度传感器, 带隙基准, 曲率校正, Pertijs |
| CMOS温度传感器ΣΔADC与电路实现 | 温度传感器专用 ΣΔ ADC、charge balancing、动态误差滤波、CT/SC 实现、三种校准技术 | CMOS, 温度传感器, ΣΔ, charge balancing, 校准, Pertijs |
| Bakker芯片原型实现 | 前置知识： - CMOS智能温度传感器原理 — 温度传感前端原理（含 Bakker Ch.3 带隙基准设计） - CMOS温度传感器ΣΔADC与电路实现 — ΣΔ ADC 与电荷平衡（含 … | CMOS, 温度传感器, Bakker, 原型芯片, 轮胎监测, 嵌套斩波 |
| LDO稳压器设计技术 | LDO 由四个核心模块组成： - Pass Device（传递器件）：串联在 V{in} 与 V{out} 之间，PMOS 或 NMOS - Error Amplifier（误差放大器）：… | LDO, 低压差稳压器, 频率补偿, 瞬态响应, 电流效率, pass device |
| 低压曲率校正带隙基准 | - VZ > 7 V → 不适合低压应用 - TC ~5 ppm/°C（温度补偿后），但功耗高 - 适用于高压分立系统 | 带隙基准, 曲率校正, 低压, IV-mode, trimming, Rincon-Mora |
| CMOS电压参考系统设计与误差分析 | β-multiplier 带隙框架、6 类误差源分析、5 种 trimming 技术、MOSFET 温度特性、器件匹配统计 | CMOS, 电压参考, 带隙基准, β-multiplier, trimming, Kok |
| 温度补偿与亚1V基准设计技术 | V_GS 补偿、亚1V 方案、高阶曲率校正、piecewise linear、multi-V_th、无电阻基准 | 温度补偿, 亚1V, 曲率校正, 无电阻, Kok |
| 结构设计方法论与多环路LDO | structural design methodology、multiloop nested 架构、any-load stable、step response boosting、dumping factor 稳定性验证 | LDO, 结构设计方法论, multiloop, any-load stable, Ivanov |
| 系统级电源管理与睡眠模式效率 | 绿色电子框架、DVFS/AVS、sleep mode 主导性、泄漏电流模型、power chain 分析、DC-DC 替代 LDO 省电量化 | 电源管理, DVFS, sleep mode, leakage, Hu |
| 电容无LDO与开关变换器轻载效率 | LDO vs HDO 拓扑对比、capacitor-free LDO、input current-differencing、轻载效率 roll-off、long-sleep model | LDO, capacitor-free, DC-DC, 轻载效率, Hu |
| Hybrid PLL架构与技术 | 模拟 P-path + 数字 I-path 双路径架构、噪声 TF 分析、I-path 变体（BBPD/GRO-TDC/CCRO/CS）、P-path 变体、Sub-Sampling、PNC、校准、快速跳频、10 篇论文对比总表 | PLL, Hybrid PLL, dual-path, BBPD, TDC, PNC, Sub-Sampling |
| 连续与离散时间信号基础 | CT/DT 信号分类、能量与功率、自变量变换、周期信号、奇偶分解、指数与正弦信号、单位冲激/阶跃、系统六大性质 | 信号与系统, Oppenheim, CT, DT, 信号分类 |
| 线性时不变系统与卷积 | 冲激表示信号、卷积和/积分、LTI 八大性质、差分/微分方程因果 LTI 系统、奇异函数 | 信号与系统, Oppenheim, LTI, 卷积 |
| 傅里叶级数与周期信号分析 | CT/DT 傅里叶级数、收敛与 Gibbs 现象、性质表、Parseval 关系、频率成形与频率选择滤波 | 信号与系统, Oppenheim, 傅里叶级数, Gibbs |
| 连续时间傅里叶变换 | CTFT 推导与收敛、周期信号 CTFT、性质表（时移/频移/卷积/对偶/Parseval）、微分方程系统 | 信号与系统, Oppenheim, CTFT, 傅里叶变换 |
| 离散时间傅里叶变换 | DTFT 推导与收敛、周期性、性质表、对偶性、差分方程系统频率响应 | 信号与系统, Oppenheim, DTFT, 傅里叶变换 |
| 信号与系统的时频特性 | 幅度-相位、线性相位与群延迟、Bode 图、一阶/二阶 CT/DT 系统、Butterworth 滤波器 | 信号与系统, Oppenheim, Bode, 群延迟, Butterworth |
| 采样定理与信号重建 | 冲激串采样、ZOH、信号重建内插、混叠、CT→DT→CT 处理、抽取与插值 | 信号与系统, Oppenheim, 采样, ZOH, 重建 |
| 通信系统基础 | AM/FM/PAM 调制解调、同步/异步解调、FDM/TDM、单边带、离散时间调制 | 信号与系统, Oppenheim, 调制, AM, FM, 通信 |
| Laplace变换与z变换 | Laplace/z 变换定义与 ROC、性质表、极零点、系统函数、单边变换、CT-DT 对比 | 信号与系统, Oppenheim, Laplace, z变换, ROC |
| 反馈控制原理与系统组成 | 开环/闭环/复合控制、方框图、反馈元件分类、典型外作用（阶跃/斜坡/脉冲/正弦） | 自动控制, 反馈控制, 闭环, 开环, 胡寿松 |
| 控制系统数学模型 | 微分方程、传递函数、结构图化简、信号流图 Mason 公式、小偏差线性化 | 自动控制, 传递函数, 结构图, Mason, 胡寿松 |
| 线性系统时域分析 | 一阶/二阶系统响应、超调量/调节时间、Routh 判据、稳态误差与系统型别 | 自动控制, 时域分析, 二阶系统, Routh, 稳态误差, 胡寿松 |
| 根轨迹法 | 根轨迹绘制法则、广义根轨迹（参数/零度）、闭环极点与性能分析 | 自动控制, 根轨迹, 闭环极点, 胡寿松 |
| 频域分析法与稳定性 | Bode 图、Nyquist 判据、增益/相位裕度、闭环频域指标、三段论设计 | 自动控制, 频域分析, Bode, Nyquist, 稳定裕度, 胡寿松 |
| 控制系统校正与设计 | PID 校正、串联超前/滞后/超前-滞后、前馈校正、复合校正 | 自动控制, PID, 串联校正, 超前, 滞后, 胡寿松 |
| 离散控制系统 | 采样定理、z 变换、脉冲传递函数、w 变换、Jury 判据、数字校正 | 自动控制, 离散系统, z变换, 采样, 胡寿松 |
| 非线性系统分析 | 相平面法、描述函数法、自激振荡/极限环、逆系统方法 | 自动控制, 非线性, 相平面, 描述函数, 极限环, 胡寿松 |
| 状态空间分析与综合 | 状态方程、可控性/可观测性、Lyapunov 稳定性、极点配置、状态观测器 | 自动控制, 状态空间, 可控性, Lyapunov, 极点配置, 胡寿松 |
| 最优控制理论 | 变分法、极小值原理（Pontryagin）、LQR、Riccati 方程 | 自动控制, 最优控制, LQR, Riccati, 胡寿松 |
| Class-D放大器概述与历史 | Class-D 放大器历史演进、基本工作原理、半桥拓扑、500kHz 固定频率 PWM、100W/8Ω 参考设计 | Class-D, 音频功放, 半桥, PWM |
| Class-D输入电路设计 | 输入滤波器、DC 偏置、差分输入、输入阻抗匹配、共模抑制 | Class-D, 输入电路, 滤波器, 差分 |
| Class-D比较器与PWM电路 | 比较器设计、传播延迟、迟滞、PWM 生成、占空比 | Class-D, 比较器, PWM, 传播延迟 |
| Class-D三角波发生器 | 三角波/锯齿波振荡器、频率稳定性、斜率补偿、时钟同步 | Class-D, 三角波, 振荡器, 时钟同步 |
| Class-D电平转换电路 | 高侧驱动电平转换、自举 vs 独立电源、传播延迟匹配 | Class-D, 电平转换, 高侧驱动 |
| Class-D栅极驱动电路 | MOSFET 栅极驱动、峰值电流能力、死区时间、交叉导通防护 | Class-D, 栅极驱动, MOSFET, 死区时间 |
| Class-D自举偏置电路 | 自举电容/二极管、电荷泵、高侧偏置电压、UVLO | Class-D, 自举, 偏置, 电荷泵 |
| Class-D半桥全桥功率级 | 半桥/全桥拓扑、MOSFET 选型、RDS(on)、开关损耗、体二极管 | Class-D, 半桥, 全桥, MOSFET, 功率级 |
| Class-D LC解调滤波器 | LC 低通滤波器设计、截止频率、Q 因子、负载依赖性、磁芯材料 | Class-D, LC滤波器, 解调, 磁芯 |
| Class-D失真与噪声源 | THD 来源、死区失真、电源纹波、时钟抖动噪声、PCB 耦合 | Class-D, 失真, THD, 噪声 |
| Class-D功率级损耗分析 | 导通损耗、开关损耗、栅极驱动损耗、死区损耗、效率优化 | Class-D, 损耗, 效率, 功率级 |
| Class-D反馈与补偿 | 电压反馈、电流反馈、环路增益、相位裕度、PID 补偿 | Class-D, 反馈, 补偿, 环路增益 |
| Class-D辅助电路与UVLO | 辅助电源、UVLO 阈值、使能/静音、热关断 | Class-D, UVLO, 辅助电路, 热关断 |
| Class-D保护电路 | 过流保护（OCP）、过温保护（OTP）、欠压保护（UVLO）、削波检测 | Class-D, 保护, OCP, OTP, 削波 |
| Class-D EMI抑制技术 | EMI 频谱、扩频调制、软开关、snubber、屏蔽、滤波器 | Class-D, EMI, 扩频, snubber |
| Class-D PCB布局与热设计 | PCB 分层、功率环路最小化、散热过孔、热仿真、铜面积 | Class-D, PCB, 热设计, 布局 |
| Class-D电源设计 | ACDC/DCDC 架构、供电轨泵浦、CCM/FPWM、反相 Buck-Boost、LDO PSRR | Class-D, 电源, 泵浦, LDO, DCDC |
| Class-D定压放大器70V100V | 70.7V/100V 定压标准、升压变压器 vs 直接驱动、Hi-Z/Lo-Z 兼容 OCP | Class-D, 定压, 70V, 100V, 变压器 |
| Class-D多通道设计 | 六大串扰机制、星形接地、电感漏磁缓解、三角波隔离 | Class-D, 多通道, 串扰, 星形接地 |
| Class-D音频性能测量 | 无源 LPF 保护分析仪、THD+N、IMD、摆率、阻尼因子 | Class-D, 测量, THD+N, IMD, 阻尼因子 |
| Class-D替代调制方案 | 自激振荡、ΣΔ 调制、多相/多电平、固定频率 BW 限制 | Class-D, 调制, SDM, 自激振荡, 多电平 |
| Class-D数字应用与DSP | FPGA 管家功能、数字输入格式、开环前馈 PSRR 校正、全数字闭环 | Class-D, 数字, FPGA, DSP, PSRR |
| Class-D集成电路方案 | IC 集成度演进、8 大厂商产品线、GaN/SiC 功率开关、MERUS 多级 | Class-D, IC, GaN, SiC, 集成 |
| 变频PWM调制技术 | 变频PWM完整分析：K1(s)/K2(s)函数详细推导、对偶模型对比、相位超前量化(43.2∘@f/fc=0.3,D=0.8)、小信号模型频率局限的采样数据/脉冲位置双视角解释、CF vs VF DC增益系统对比与VF增益工程简化 | PWM, 变频, VF PWM, 相位超前, PFC, 推导 |
| 交错PWM与谐波抵消技术 | 交错PWM完整分析：N=2/3/4 κm 解析表达式、表2.2完整数值(Δθc=18∘/30∘/90∘)、非对称交错五步工程设计流程、vs多电平本质区别、参数不匹配效应与缓解、串联交错案例与并联对比 | PWM, 交错, 谐波抵消, 多相, 并联变换器, 设计流程 |
| 多电平变换器基础特性 | 多电平波形合成、等效开关频率 fapp=nfsw、谐波消除、纹波 ∝1/n2、瞬态响应 | 多电平, PWM, 谐波消除, Meynard |
| 多电平DCDC变换器拓扑 | 飞电容串联、交错并联、ICT（循环级联/整体型）、串并联组合、对偶原理 | 多电平, 飞电容, ICT, 交错并联, Meynard |
| PLECS矢量化建模方法 | PLECS 矢量化元件、星形/串联连接块、宏换流单元、可缩放模型、自动预设计 | PLECS, 矢量化, 仿真, Meynard |
| 多电平斩波器矢量化调制器 | xZOH 均衡多采样器、参考阶跃均衡、快速饱和处理、异步紧急关断 | 多电平, PWM调制, xZOH, 均衡, Meynard |
| 串联多电平变换器电压均衡 | 自然均衡、内部/外部均衡器、线性/非线性变体、Zener、基于损耗设计 | 多电平, 飞电容, 均衡, Balance Booster, Meynard |
| 多电平变换器滤波器设计 | LC 乘积约束 ∝1/(nfsw)3、EMI 标准、瞬态约束、设计流程 | 多电平, 滤波器, LC, EMI, Meynard |
| 多电平变换器磁性元件设计 | Area Product 法、最优 AP、ICT 设计、匝数/气隙、矢量化磁阻模型 | 多电平, 磁性元件, ICT, Area Product, Meynard |
| PWM基本形式与载波类型 | PWM完整分类：恒频/变频、三种载波(锯齿波/反向锯齿波/三角波)、后缘/前缘/双边缘调制、精确导通时间表达式、三次谐波注入原理、vac=vdc⋅vpwm非恒定推广 | PWM, 载波, 恒频, 变频, 调制方式 |
| PWM频谱建模与双重傅里叶级数 | 双重傅里叶级数完整数学基础：f(x,y)构造方法、Amn/Bmn系数积分推导、Bessel函数六种性质、6种PWM频谱闭式模型逐项物理解释、规则采样sinc保持效应、多参考分量推广、同步前后缘组合调制、边带幅值后缘/前缘/双边缘统一公式与参数变换、Table 2.1完整数值表、Bessel函数波形特征与零点规律 | PWM, 频谱建模, 双重傅里叶级数, Bessel函数, 推导 |
| PWM小信号建模 | PWM小信号完整分析：六种频谱模型增益统一性证明、边带时变行为数学证明(ϕsb−θ1=−2θ1+θc−2Dπ)、DCM详细建模(三区间/占空比约束/小信号线性化)、载波频率选择六维指南、谐振变换器奇异摄动法、fc/2极限泰勒展开论证（Jn(x)∝M∣n∣）、状态空间平均与KBM纹波重建桥梁 | PWM, 小信号模型, 调制器增益, 频率极限, DCM |
| 多电平DCDC变换器闭环控制 | 多自由度分层控制、主环路+均衡环路、宏单元平均模型、小信号模型 | 多电平, 闭环控制, 平均模型, Meynard |
| 半导体发光二极管与激光器 | 辐射跃迁、LED 结构与效率体系、激光物理（粒子数反转/Fabry-Perot 腔/阈值增益）、DH/QW/VCSEL/QCL/SOA | 半导体器件, LED, 激光器, 受激发射, VCSEL, QCL |
| 半导体光电探测器 | 光电导/光电二极管/APD/光电晶体管/CCD/CMOS图像传感器/MSM/QWIP 全类型覆盖 | 半导体器件, 光电探测器, APD, CCD, QWIP, MSM |
| 半导体太阳能电池 | 光伏效应、Shockley-Queisser 极限、填充因子、非理想效应、Si p-n 光电流推导 | 半导体器件, 太阳能电池, 光伏效应, SQ极限, 填充因子 |
| 半导体传感器概述 | 热敏电阻/二极管温度传感器/RTD/热电偶/应变计/压电/SAW/霍尔/磁敏电阻/MAGFET/ISFET/气敏 | 半导体器件, 传感器, 热敏电阻, 霍尔, SAW, ISFET |
| IC电磁兼容基础与耦合机制 | IC 级 EMC 问题分为两大类： | EMC, 串扰, SSN, 耦合机制, 发射, 抗扰度 |
| IC电磁兼容历史回顾与标准化 | - 1965：美国军方在 Kirtland（新墨西哥州）特殊武器中心研究核爆炸电磁脉冲对导弹发射站电子设备的影响 - IBM 开发 SPECTRE 软件——首个用于仿真核辐射对电子元件影响… | EMC, 历史, 标准化, IEC, MIL-STD, Moore定律 |
| 电磁兼容基础理论 | 长度 dl 的电偶极子在球坐标系中产生一个磁场分量 dH\phi 和两个电场分量 dEr、dE\theta： | EMC, 电偶极子, 磁环, 傅里叶, 传输线, RLC高频建模 |
| IC电磁兼容测量方法与标准 | IC EMC 测量由 IEC（国际电工委员会）SC47A/WG9 工作组标准化： | EMC, TEM cell, GTEM, 近场扫描, WBFC, BCI |
| IC电磁兼容建模技术 | 等效电路：C{HBM} = 100,\text{pF}，R{HBM} = 1500,\Omega | EMC, ICEM, IBIS, IMIC, LECCS, VHDL-AMS |
| IC电磁兼容案例研究 | CESAME 测试芯片专用于表征传导和辐射发射，验证低发射设计技术。 | EMC, CESAME, 测试芯片, 微控制器, 低发射设计, TEM cell |
| IC低发射与抗扰度设计指南 | 片上去耦电容 Cd 对降低发射已证实非常有效。从抗扰度角度，通过 AC 分析研究从干扰源到内部核心的传输效率： | EMC, 抗扰度设计, 片上去耦, 防御性软件, 低发射, 异步电路 |
| 纳米CMOS可靠性工程与DFR流程 | 可靠性工程历史、DFR 五阶段、浴盆曲线、MTTF、AEC-Q100/ISO 16750、HALT/HAST | 模拟电路, CMOS, 可靠性, DFR, 浴盆曲线, MTTF, Maricau |
| 纳米CMOS空间不可靠性与工艺变异 | RDF/LER/Pelgrom 模型、系统/随机变异分类、栅介质变异、AVTH 趋势 | 模拟电路, CMOS, 工艺变异, RDF, LER, Pelgrom, Maricau |
| CMOS晶体管老化效应 | HCI 四种机制、TDDB Weibull 分布、BTI 永久+可恢复分量、Black 方程 EM、瞬态效应 | 模拟电路, CMOS, HCI, BTI, TDDB, EM, Maricau |
| 晶体管老化紧凑模型 | HCI AC 时变应力模型、BTI R-D/RDD 物理模型、TDDB E/1-E 模型、老化等效晶体管 | 模拟电路, CMOS, 紧凑模型, HCI模型, BTI模型, Maricau |
| 模拟IC可靠性仿真方法 | BERT、商业仿真器对比、确定性/随机/层次化仿真、RSM、自适应样本选择+FFX | 模拟电路, CMOS, 可靠性仿真, Monte Carlo, RSM, Maricau |
| IC可靠性评估与抗失效设计 | 评估五维度、Cpk、老化免疫/敏感参数、固有鲁棒/自修复电路、IDAC 案例、SSPA | 模拟电路, CMOS, 可靠性评估, 抗失效设计, IDAC, Maricau |
| ESD基础概念与设计原则 | 电静力学历史、17条核心设计原则、ESD vs EOS/EMI/EMC/Latchup 区分、ESD 缺陷机制表 | ESD, 设计原则, 缺陷机制, Voldman |
| ESD测试模型与系统级模型 | HBM/MM/CDM/TLP/VF-TLP 详细参数；IEC 61000-4-2/HMM/CBM/CDE 系统级模型 | ESD, 测试模型, HBM, MM, CDM, TLP, IEC, Voldman |
| ESD时间常数体系 | 电荷弛豫/磁扩散/电磁传播/热/半导体器件/电路/芯片级时间常数体系 | ESD, 时间常数, 热时间常数, Voldman |
| ESD分布式系统分析 | 集总vs分布式判据、RLC梯形网络、RC/RC分布式系统、电流电压分布 | ESD, 分布式系统, RLC网络, Voldman |
| ESD度量指标与设计策略 | 芯片级ESD度量、质量可靠性指标、12步策略构建法、ESD欧姆定律、缩放理论 | ESD, 度量指标, 设计策略, Voldman |
| ESD芯片设计综合与架构 | 电气/热/空间连接性、输入保护网络、电源钳位、轨到轨、保护环、混合信号架构 | ESD, 设计综合, 架构, Voldman |
| MOSFET ESD设计 | 沟道长度/宽度、接触间距、金属布线、硅化物遮蔽、多指MOSFET集成、封闭漏极 | ESD, MOSFET, 硅化物, 多指, Voldman |
| ESD二极管设计 | 阳极设计、互连布线、多晶硅束缚二极管、N-well二极管、二极管串、三阱二极管 | ESD, 二极管, 阳极设计, 二极管串, Voldman |
| ESD无源电阻设计 | N-well电阻、N/P扩散电阻、埋层电阻BR（设计/镇流/失效/集成） | ESD, 电阻, N-well, 埋层, Voldman |
| 模拟RF无源元件ESD设计 | 匹配技术、公共质心、交叉指插、电阻/电容/电感ESD设计 | ESD, 模拟, RF, 无源元件, 匹配, Voldman |
| 离片驱动器OCD与ESD | I/O标准、CMOS驱动器、MVI、栅调制、衬底调制电阻镇流 | ESD, OCD, 驱动器, I/O标准, Voldman |
| 接收器电路ESD设计 | 传输门演进、keeper网络、ZVT TG、Schmitt触发、差分接收器 | ESD, 接收器, 传输门, Schmitt, Voldman |
| SOI ESD设计 | BOX膜影响、T形版图、横向二极管、Bulk→SOI重映射、FinFET | ESD, SOI, BOX, FinFET, Voldman |
| BiCMOS ESD电路设计 | 双极ESD输入、电压触发、SiGe HBT ESD | ESD, BiCMOS, HBT, SiGe, Voldman |
| ESD电源钳位网络 | RC触发/栅耦合、Master/Slave、双极钳位、Johnson Limit、SiGe HBT | ESD, 电源钳位, RC触发, 栅耦合, Voldman |
| SCR ESD电源钳位 | 单向/双向SCR、LDMOS、DeMOS/DeNMOS、UHV-LDMOS | ESD, SCR, LDMOS, DeMOS, Voldman |
| ESD模拟电路设计导论 | Ch.1 为全书奠定基础，阐述了模拟电路 ESD 设计区别于数字电路的核心差异，建立了全书使用的关键术语和定义体系。本书将 ESD 保护视为集成电路的一种 额外功能规格 ——类似于其他正常… | ESD, 模拟电路, Introduction, ESD设计层级, ESD防护网络 |
| ESD电导调制机制 | Ch.2 是本书物理深度最高的章节，系统分析 ESD 脉冲条件下半导体结构中的 电导调制机制。在 ESD 时间域（ns-μs 级）内，大多数过程可视为 绝热（等温）过程，因此电学机制而非热… | ESD, 电导调制, 雪崩击穿, 双注入, 电流细丝, snapback |
| ESD保护器件_TVS二极管GGNMOS | Ch.3 系统阐述标准工艺器件与 ESD 保护器件的 脉冲击穿特性 和 设计方法。核心概念是 “免费”ESD 器件（free ESD device）——仅使用工艺已有掩模层、不增加额外工艺… | ESD, GGNMOS, SCR, TVS, LDMOS, 双向器件 |
| ESD电源钳位电路设计 | Ch.4 将 Ch.3 的 ESD 器件 集成到钳位电路（clamp）层面。钳位电路是 ESD 保护层次中的第三级：它将分布式 ESD 器件与辅助电路（触发电路、电压基准、驱动电路）结合，… | ESD, 电源钳位, 主动NMOS钳位, snapback, LVTSCR, 自保护 |
| ESD防护网络设计 | Ch.5 将 ESD 保护提升到 网络层面——ESD 防护网络本质上是一个 脉冲功率电路，为每个 pin-to-pin 组合提供放电路径并限制电压。网络设计是模拟电路 ESD 保护中最重要… | ESD, 防护网络, 轨基网络, 局部钳位, 多电压域, ESD紧凑模型 |
| ESD信号引脚防护设计 | Ch.6 以 信号路径模拟产品（运放、DAC/ADC、高速接口）为例，演示 ESD 保护网络和钳位的具体应用。核心挑战是在 保护性能 与 信号完整性 之间取得平衡——ESD 保护元件的寄生… | ESD, 信号路径, 运放, DAC, ADC, 高速接口 |
| ESD电源管理设计 | Ch.7 聚焦 电源管理电路 的 ESD 保护——包括低压 DC-DC、高压调节器、LED 驱动器、控制器等产品类别。与信号路径电路不同，电源管理电路的 ESD 设计主要挑战来自 快速开关… | ESD, 电源管理, DC-DC, LDO, LED驱动器, 高压调节器 |
| ESD系统级设计 | Ch.8 将 ESD 保护提升到 系统层面。系统级 ESD 与芯片级（HBM/CDM）的根本区别在于：系统需要在 工作状态 下承受 ESD 事件，且放电能量高 1-2 个数量级。本章重点讨… | ESD, 系统级, IEC 61000-4-2, HMM, 热插拔, TVS |
| 栅极驱动基础与功率级设计 | (a) CMOS inverter (PMOS pull-up + NMOS pull-down)： - 简单常用，PMOS约为相同导通电阻NMOS的3倍大 - 高压PMOS的比电阻可达N… | 栅极驱动器, 输出级, 栅极环路, 阻尼因子, 谐振驱动, 功率晶体管 |
| HVCS高压电荷存储栅极驱动技术 | 传统自举电路的问题：C{B1} 充电至 ~5 V，仅能放电 \Delta V1 = 0.5-1.5 V，电荷利用率低。 | HVCS, 高压电荷存储, 自举电容, 栅极驱动器, 电平移位器, 电荷泵 |
| HVES高压能量存储谐振栅极驱动技术 | HVES 在栅极充电路径中引入电感 L，缓冲电容 C{Buf} 中的储能通过谐振转移到栅极节点 V{GS}： | HVES, 高压能量存储, 谐振栅极驱动, 栅极电荷, 效率, GaN |
| 大栅极环路与寄生电感利用技术 | 驱动器和功率晶体管物理分离的需求： | 大栅极环路, 寄生电感, HVES, 谐振驱动, Miller耦合, C_GS_add |
| GaN功率晶体管栅极驱动特性 | - AlGaN/GaN 异质结构形成高导电 2DEG（二维电子气） - 天然为耗尽型（normally-on） 器件 - 增强型（normally-off）方案： - p-GaN（EPC … | GaN, 氮化镓, 栅极驱动, GIT, 三电平驱动, 双极性驱动 |
| 栅极驱动器供电与信号传输技术 | - 保护控制单元和用户免受高压伤害 - 降低共模噪声 - 允许更灵活的电路配置 - 通常用变压器实现 - 其他类型：光学功率传感器 [108] | 栅极驱动器, 自举电路, 信号传输, 隔离, 耦合电流, CMTI |
| 描述与抽象层设计框架 | 定义：描述层 D=(E,I) 是二元组，E 为基本元素字母表，I 为互连类型字母表。 | 模拟电路, CAD, EDA, 设计流程, 抽象层, 描述层 |
| 性能函数与性能模型 | p \in \mathbb{p}(D) | 模拟电路, CAD, EDA, 性能函数, 性能模型, 仿真 |
| 通用行为建模方法 | 在高层级模拟综合中，设计自动化方法需要探索异构设计空间(heterogeneous design space) — 包含多种不同架构（如单环ΔΣ、MASH ΔΣ、Pipeline ADC、… | 模拟电路, CAD, EDA, 行为建模, GBM, 通用行为模型 |
| 相位-频率传递模型 | 传统的 RF 前端模型使用等效低通(equivalent low-pass)方法，对窄带系统有效但对宽带/多频系统有误差。PFT 模型的设计需求（§5.3.1）： 1. 允许多相(多分支)… | 模拟电路, CAD, EDA, RF, 多相系统, PHTM |
| 自顶向下异构综合优化 | 每个设计表示为从胚基出发的变换序列： D = (T1, T2, …, Tm) | 模拟电路, CAD, EDA, 综合优化, TDHO, 异构设计 |
| 高层级模拟综合集成 | Martens 提出的分类准则：设计策略处理不同架构的能力。 | 模拟电路, CAD, EDA, 高层级综合, 综合策略, EDA历史 |
| 设计变换与架构探索 | 在通用设计流框架中，变换 (Transformation) TD 定义为： | 模拟电路, CAD, EDA, 设计变换, 架构探索, 变换操作 |
| Ivanov OpAmp Ch1 - 结构设计方法论概述与器件参数 | 前置知识： - MOS晶体管模型与特性 — 补充MOS器件详细建模 - 双极晶体管小信号模型 — 补充BJT器件详细建模 | OpAmp, Ivanov, 结构设计, BJT, MOS, 模拟工艺 |
| Ivanov OpAmp Ch2 - 结构设计方法论与信号流图 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch1 - 结构设计方法论概述与器件参数 — 设计流程基础和器件知识 - 信号流图技术与梯形滤波器设计 — SFG在滤波器中的应用 - 反馈放大器… | OpAmp, Ivanov, 结构设计, 信号流图, 反馈, 单元库 |
| Ivanov OpAmp Ch3 - 偏置电路 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch2 - 结构设计方法论与信号流图 — SFG在偏置中的应用 - 偏置电路与电流基准 — 标准偏置内容 | OpAmp, Ivanov, 偏置, PTAT, gm匹配, 电流源 |
| Ivanov OpAmp Ch4 - 增益结构与频率补偿 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch3 - 偏置电路 — 偏置对增益结构的影响 - 反馈放大器稳定性与频率补偿 — 稳定性理论基础 | OpAmp, Ivanov, 增益结构, 频率补偿, gain boost, 稳定性 |
| Ivanov OpAmp Ch5 - 输入级设计 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch4 - 增益结构与频率补偿 — gain boost技术在输入级应用 - 差分放大器与失调分析 — 差分对基础 | OpAmp, Ivanov, 输入级, 轨到轨, CMRR, PSRR |
| Ivanov OpAmp Ch6 - 中间放大级 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch4 - 增益结构与频率补偿 — gain boost原理与增益级/放大级区分 - Ivanov OpAmp Ch5 - 输入级设计 — 输入级… | OpAmp, Ivanov, 中间放大级, 折叠共源共栅, 浮动电流源, 增益提升 |
| Ivanov OpAmp Ch7 - Class AB输出级 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch6 - 中间放大级 — 中间级到输出级的连接 - 输出级设计 — 输出级基础知识 - 反馈放大器基础 — 反馈环路分析 | OpAmp, Ivanov, Class AB, 输出级, 静态电流, 轨到轨 |
| Ivanov OpAmp Ch8 - 特殊功能电路 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch5 - 输入级设计 — 输入保护电路（§5.5） - Ivanov OpAmp Ch4 - 增益结构与频率补偿 — 条件不稳定性 - Ivan… | OpAmp, Ivanov, 特殊功能, 启动, 关断, 温度保护 |
| Ivanov OpAmp Ch9 - 从结构到电路 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch4 - 增益结构与频率补偿 — 增益结构与补偿 - Ivanov OpAmp Ch5 - 输入级设计 — 输入级设计技术 - Ivanov O… | OpAmp, Ivanov, 设计实例, 自上而下, 晶体管尺寸, 仿真 |
| Ivanov OpAmp Ch10 - 附录 | 前置知识： - Ivanov OpAmp Ch2 - 结构设计方法论与信号流图 — 信号流图基础 - 信号流图技术与梯形滤波器设计 — SFG在电路中的应用 - 线性时不变系统与卷积 — … | OpAmp, Ivanov, 多维系统, 对称链接, 共模反馈, 信号流图 |
| VFC压频转换器基础与架构 | 前置知识： - 基本运放/OTA设计 - 模拟集成电路中的V-I转换概念 - 基本计数器原理 | VFC, 压频转换器, 准数字转换器, 多谐振荡器, 电荷平衡, 频率-代码转换 |
| CMOS V-I转换器设计 | 前置知识： - MOS晶体管模型与特性 — 跨导 gm、体效应 gmb - 电流镜基础与Cascode电流镜 — 电流镜是实现V-I转换的关键 - 运算放大器设计 — OTA 是 V-I … | V-I转换器, VFC, Rail-to-Rail, OTA, 温度补偿, 跨导 |
| VFC偏置与控制电路 | 前置知识： - 电流镜基础与Cascode电流镜 — 电流镜是偏置电路和积分器的基本构建块 - MOS晶体管模型与特性 — 跨导、亚阈值、阈值电压 - 偏置电路与电流基准 — 带隙基准、P… | VFC, β-Multiplier, 偏置电路, 电压窗口比较器, VWC, 双向积分器 |
| CMOS VFC完整设计实例 | 前置知识： - VFC压频转换器基础与架构 — VFC 基本工作原理 - CMOS V-I转换器设计 — V-I 转换器是 VFC 的核心单元 - VFC偏置与控制电路 — β-Multi… | VFC, 可编程VFC, Rail-to-Rail, 差分VFC, 低压, 低功耗 |
| 版图与封装技术 | 前置知识： - CMOS工艺与器件 — 工艺制造流程对版图的约束 - IC制造基础工艺 — 光刻、刻蚀、注入等基础工艺 | 模拟电路, 版图, 封装, ESD, 衬底耦合, 多指晶体管 |
| 半导体晶体结构与晶格 | 前置知识： - 固体物理基础（周期性势场、晶格振动） | 半导体物理, 晶体结构, 晶格, Miller指数, Brillouin区, 金刚石 |
| 半导体能带理论与带隙 | 前置知识： - 半导体晶体结构与晶格 — 晶格结构、Brillouin 区 - 量子力学基础（Schrödinger 方程） | 半导体物理, 能带理论, 带隙, 有效质量, 直接带隙, 间接带隙 |
| 半导体声子光学与热学性质 | 前置知识： - 半导体晶体结构与晶格 — 晶格结构 - 半导体能带理论与带隙 — 能带结构决定光学跃迁 | 半导体物理, 声子, 光学性质, 热学性质, 吸收系数, 折射率 |
| 半导体异质结与纳米结构 | 前置知识： - 半导体能带理论与带隙 — 带隙、有效质量 - 半导体晶体结构与晶格 — 晶格匹配 | 半导体物理, 异质结, 量子阱, 超晶格, 量子线, 量子点 |
| 半导体载流子浓度与费米能级 | 前置知识： - 半导体能带理论与带隙 — 带隙 Eg、导带底 EC、价带顶 EV | 半导体物理, 载流子浓度, 费米能级, 本征载流子, 掺杂, 费米-狄拉克分布 |
| 半导体载流子输运现象 | 前置知识： - 半导体载流子浓度与费米能级 — 载流子浓度 - 半导体能带理论与带隙 — 有效质量 | 半导体物理, 载流子输运, 漂移, 迁移率, 霍尔效应, 速度饱和 |
| 超低功耗电容耦合前置放大器 | 热噪声功率与电流消耗成反比： - 噪声降低 2× → 所有电流和器件宽度必须加倍（保持电流密度和电压水平不变） - 这意味着功耗也加倍 → 只能通过拓扑优化突破 | 前置放大器, 电容耦合, 麦克风, 超低功耗, 噪声优化, SEMTECH |
| 存储器电路 | 前置知识： - CMOS反相器与数字逻辑 — 反相器、锁存器基础 - MOS晶体管模型与特性 — MOS 开关、寄生电容 - CMOS工艺与器件 — 阱、接触孔、版图 | CMOS, 存储器, DRAM, SRAM, ROM, Flash |
| 带隙基准设计 | 带隙基准（bandgap reference）把负温度系数的 V{BE} 与正温度系数的 \Delta V{BE} 按比例相加，得到一阶零温度系数的参考电压。它是模拟 IC 中精度最高的基… | 模拟电路/基准源, 模拟电路/偏置 |
| 带隙基准误差预算 | 带隙基准的精度指标（如 ±0.1%、TC < 50 ppm/°C）不能靠单一电路技巧达成，必须先做误差预算分解，再逐项配置抑制手段。本页把散落在各教材中的误差项汇总成一张可执行的预算表，并… | 模拟电路/基准源, 方法/测试表征 |
| 低功耗生物医学仪表放大器 | 生物医学信号（ECG/EEG/EMG/神经信号）的典型特征： | 仪表放大器, 生物医学, 低功耗, 可穿戴, 植入式, imec |
| 低失调运放的动态失调消除技术 | Chopping 将失调上变频至斩波频率 f{\text{chop}} → 需要额外滤波： 1. 陷波滤波：在 f{\text{chop}} 处放置陷波 2. 自调节反馈：检测纹波并反馈补… | 失调消除, Chopping, Auto-zeroing, 低失调运放, 精密运放, Fan |
| 低压与曲率补偿带隙 | 传统带隙输出约 1.25 V，在 V{DD} < 1.5 V 的先进工艺中不可用；同时一阶补偿后残留的曲率项（±0.5–2 mV）限制了精度上限。本页汇总两条进阶路线：低压拓扑与曲率校正，… | 模拟电路/基准源, 混合信号/ADC |
| 癫痫检测算法 | - 在压缩感知域直接提取统计特征（如能量、带通功率） - 避免完整信号重建，大幅降低计算和数据传输功耗 - 适用于植入式系统（如 Shoaran 2016 方案） | 癫痫检测, 特征提取, 机器学习, LDA, SVM, ECoG |
| 电路工程图测试 | 以下电路图来自自托管编辑器工程，构建时由 Quartz 内联渲染，黑色线条转为 currentColor 以适配暗/亮主题： | 知识库 |
| 多路径频率补偿技术 | 前置知识： - 嵌套Miller与多级频率补偿 — NMC/RNMC/HNMC 基础（§5） - 频率补偿技术 — Miller 补偿与极点分裂 - 反馈放大器稳定性与频率补偿 — Nyq… | 模拟电路, 频率补偿, 多路径补偿, MNMC, MHNMC, MMZC |
| 多通道压缩域特征提取SoC | 皮层脑电（ECoG）记录需要大量的电极通道（≥16），导致： - 数据率过高：数字化的多通道神经信号 > 数 Mbps - 无线传输功耗占系统总功耗的主要部分 - 传统方案先完整重建信号再… | 压缩感知, 神经记录, 癫痫检测, SoC, 超低功耗, EPFL |
| 放大器频率响应基础 | 前置知识： - MOS晶体管模型与特性（§1.5-§1.6）— 寄生电容 CGS、CGD、CDB、CSB - 单管放大级（Ch.3）— CS/CG/SF 的低频特性 - Cascode与多… | 模拟电路, 频率响应, 密勒效应, 极点, 零点, GBW |
| 非理想CT-ΔΣ调制器 | 时钟抖动是 CT-ΔΣ 调制器中最关键的非理想效应之一： | 模拟电路, CT-ΔΣ, 非理想效应, 过采样, 数据转换器 |
| 非易失性半导体存储器 | 前置知识： - MOSFET器件物理与缩放 — MOSFET 基本结构与阈值电压 - MIS电容器与MOS结构 — 绝缘层中的电流输运 - 半导体载流子输运现象 — 热发射与隧道效应 | 半导体器件, 非易失性存储器, 浮栅, EEPROM, Flash, MNOS |
| 高速IO接口ESD保护设计 | 高速 I/O 电路中，ESD 保护电路的寄生参数（尤其是寄生电容）对主电路性能的影响极为显著。ESD 保护电路在 I/O 焊盘上添加的额外寄生电容——主要是反偏 PN 结电容——具有高度非… | ESD, 高速IO, Semenov, 寄生电容, CML, ADC |
| 高压运放带宽与线性度优化 | 高压器件具有大尺寸和厚氧化层 → 显著的非线性寄生电容 → 随电压变化的 gm 和带宽 | 高压运放, HV OpAmp, BCD, SOI, 超声, MEMS驱动 |
| 混合信号耦合与衬底噪声 | 前置知识： - 集成电路噪声分析 — 器件级噪声源 - 全差分运放与共模反馈 — 全差分结构对共模噪声的抑制 - CMOS工艺与器件 — 衬底类型、阱结构 | 模拟电路, 混合信号, 衬底耦合, 开关噪声, PSRR, 版图 |
| 基准源多教材对比 | 同一主题在 11 本教材/专著中呈现方式差异巨大。本页只保留差异结论（一行一来源），正文推导与案例在各来源页，供选型与学习路径设计使用。 | 模拟电路/基准源, 方法/设计流程 |
| 基准源知识地图 | 基准源（bias & reference）是模拟/混合信号电路的”工作点基础设施”：任何放大器、比较器、数据转换器都需要一个与电源电压、温度、工艺偏差尽量无关的电流或电压参考。本页是基准源… | 模拟电路/基准源, 模拟电路/偏置, 方法/设计流程 |
| 基准Trim封装应力与表征 | Ch.5 收束全书：前三章解决”电路本身”的温度不变性，本章处理”电路之外的现实世界”——工艺离散（trim）、封装应力（package shift）、系统噪声环境（§5.3）与表征方法学… | 电压参考, trimming, package shift, 表征, soak time, PSR测量 |
| 金属半导体接触与肖特基势垒 | 前置知识： - 半导体载流子输运现象 — 热发射、隧道效应、扩散 - pn结电流电压特性与击穿 — pn 结二极管对比 - pn结耗尽区分析 — 耗尽层理论（与肖特基势垒耗尽层类比） | 半导体物理, 肖特基势垒, 金属半导体接触, 热发射, 欧姆接触, 势垒高度 |
| 晶闸管与功率半导体器件 | 前置知识： - pn结电流电压特性与击穿 — p-n 结击穿、雪崩倍增 - 金属半导体接触与肖特基势垒 — 肖特基势垒、欧姆接触 - MOSFET器件物理与缩放 — MOSFET 结构与缩… | 半导体器件, 晶闸管, 功率器件, IGBT, GTO, SIT |
| 精密基准误差分析与输出级设计 | Ch.4 的命题：温度补偿只是精密基准的起点，最终精度由寄生误差、输出级结构与电源免疫能力共同决定。本章给出误差源的闭式传播公式、输出级的 regulated/unregulated 设计… | 电压参考, 带隙基准, 误差分析, PSR, line regulation, 输出级 |
| 两步式增量ADC架构 | 增量 ADC 中，前馈环路滤波器在转换结束时将残差电压存储在最后一级积分器输出端。利用这一残差，可以通过重配置硬件进行二次细量化： | 增量ADC, 两步式, 微功耗, 传感器接口, Temes, Chen |
| 纳米CMOS运放设计方法学 | 前置知识： - MOS晶体管模型与特性 — 平方律模型的局限与纳米效应 - 频率补偿技术 — Miller/Cascode 补偿 - 两级Miller运放设计 — 经典两级运放架构 - 套… | 模拟电路, 纳米CMOS, 运放设计, gm_ID方法, 28nm, 深亚微米 |
| 偏置网络系统设计 | 单点基准只有经过分配网络才能服务整个系统：一个主参考电流通过电流镜复制、按支路缩放，送到输入级、中间级、输出级与辅助电路。分配网络的电源抑制、噪声与失配会逐级污染偏置质量——这是”系统级偏… | 模拟电路/偏置, 模拟电路/运放, 方法/设计流程 |
| 频谱估计与窗函数 | 上下文：附录A 是全书唯一专门讨论频谱测量的章节，为 ΔΣ 调制器的仿真和测试提供方法论支持。 | ΔΣ, 频谱估计, 窗函数, NBW, PSD, FFT |
| 汽车多模低功耗RF收发机 | - UHF 前端：覆盖 300–1000 MHz，可编程数据率和输出功率 - LF 接收机：125 kHz 近场通信，用于 PKE 唤醒/定位 - 唤醒控制器：超低功耗监听，检测有效信号才… | 汽车电子, RKE, PKE, TPMS, 收发机, 低功耗 |
| 嵌套Miller与多级频率补偿 | 前置知识： - 频率补偿技术 — 基本 Miller 补偿与极点分裂 - 两级Miller运放设计 — 两级运放的 Miller 补偿设计 - 反馈放大器稳定性与频率补偿 — Nyquis… | 模拟电路, 频率补偿, 嵌套Miller, NMC, RNMC, HNMC |
| 射频电路ESD保护设计 | 射频接收器中，低噪声放大器 (LNA) 是第一级模块，对 ESD 保护电路的寄生参数最为敏感。ESD 保护添加的额外寄生电容和电阻会退化 LNA 的输入匹配、增益和噪声性能。本章聚焦于窄带… | ESD, 射频电路, LNA, 阻抗匹配, 噪声系数, Semenov |
| 神经探针与植入式系统 | - 高空间分辨率 → 捕获单神经元/局部场电位活动 - 多通道并行 → 统计可靠性和解码精度提升 - 植入式应用：癫痫发作前可在微电极上观察到先兆放电活动（早于宏电极检测） | 神经探针, 植入式, 微电极阵列, ECoG, 皮层植入, 神经记录 |
| 双极晶体管微波特性与异质结 | 前置知识： - 双极晶体管大信号特性 — 大信号偏置与 Early 效应 - 双极晶体管小信号模型 — Hybrid-π 模型与寄生参数 - 半导体异质结与纳米结构 — 异质结能带不连续性 | 半导体器件, BJT, 微波特性, 截止频率, HBT, 异质结 |
| 隧道二极管与共振隧道二极管 | 前置知识： - pn结电流电压特性与击穿 — p-n 结击穿与隧道击穿基础 - 半导体能带理论与带隙 — 直接/间接带隙、有效质量 - 半导体异质结与纳米结构 — 量子阱、能带不连续性 | 半导体器件, 隧道二极管, 共振隧道, RTD, 负阻器件, 量子阱 |
| 推挽放大器闭环线性化技术 | 消除推挽结构工作模式本身不要求的失真源： - 交越失真：适当的静态偏置电流（class AB） - 输出级非线性寄生：线性化偏置电路 - 电源相关失真：充分电源抑制 | 推挽放大器, 线性化, 失真, 反馈, 闭环, Castello |
| 相位域射频接收机架构 | - 传统：模拟 I/Q 下混频 → 模拟基带滤波 → 双通道 ADC - SIF-PDC：滑动中频 → 相位-数字转换（单通道闭环）→ 数字相位处理 | 相位域, 接收机, 滑动中频, SIF-PDC, 低功耗, FSK |
| 相位噪声建模与Matlab提取 | 前置知识： - 相位噪声对PLL影响 — PLL 中相位噪声传播理论 - Jitter基本概念与定义 — 抖动的基本定义与类型 - Jitter与Phase Noise关系 — jitte… | 相位噪声, Jitter, Matlab, PSD, 振荡器建模, 线性插值 |
| 压缩感知理论 | - 如果信号 x \in \mathbb{R}^N 在某个正交基 \Psi （如 DCT、小波）下仅有 K \ll N 个非零系数，则称信号是 K-稀疏 的 - 自然信号（包括神经信号、图… | 压缩感知, 稀疏表示, RIP, 随机采样, 信号重建, OMP |
| 亚门级分辨率TDC与TDC-ADC应用 | 前置知识： - TDC架构统一框架与VernierΣΔ方法 — 已覆盖 Vernier/GRO/脉冲收缩 TDC - TDC高级架构 — 双极/环路/DLL 等架构 - TDC性能指标与误… | TDC, 亚门级分辨率, 并行缩放, LPI, 时域放大器, TDC-ADC |
| 亚微瓦电容数字转换器CDC技术 | 1. 相关双采样 (CDS)：用于 SAR CDC 前端，消除放大器 1/f 噪声和失调 2. Zoom-in 两步转换：SAR 确定 MSB 范围后，增量 ΔΣ 在缩小的范围内精细量化 … | CDC, 电容数字转换器, 低功耗, 毫米传感器, SAR, ΔΣ |
| 运算放大器设计基础 | 一个完整的运放通常包含以下功能块： | 模拟电路, 运放设计, 放大器, 基础 |
| 噪声整形与抖动优势时域分析 | 前置知识： - 反馈噪声整形与MOD1深度分析 — ΣΔ 调制器基本原理与 NTF - 过采样数字滤波降噪 — 移动平均滤波器的频域特性 - 量化器理论与线性模型 — 量化误差的区间分布 | ΣΔ, 噪声整形, Dither, 抖动, 移动平均, 时域精度 |
| 智能功率IC ESD保护设计 | 智能功率（Smart Power）技术在同一芯片上集成 CMOS 逻辑、低压模拟和高压驱动晶体管（V{DD} \approx 1.8\text{-}5\ \text{V} 的低压器件和 V… | ESD, 智能功率, LDMOS, BJT, SCR, FOD |
| 转移电子器件与实空间转移 | 前置知识： - 半导体能带理论与带隙 — E-k 关系、多谷能带结构、有效质量 - 半导体载流子输运现象 — 高场速度饱和、散射机制 - 半导体异质结与纳米结构 — 异质结能带不连续性、调… | 半导体器件, TED, Gunn二极管, 负微分迁移率, 实空间转移, RST |
| 自偏置与启动电路 | 自偏置（self-biased）电路用正反馈环路从电源产生偏置电流，无需外部参考；代价是存在零电流简并态，因此必须配套启动电路（startup circuit）。本页基于 Gray §4.… | 模拟电路/偏置, 模拟电路/基准源, 方法/设计流程 |
| ADPLL Matlab仿真脚本集 | 文件名：对应书中提供的第一个完整 ADPLL Simulink 脚本 | ADPLL, Matlab, 仿真, 相位噪声, TDC, DCO |
| ADPLL高效事件驱动建模 | 前置知识： - ADPLL相位数字化架构 — 累积式 ADPLL 架构与重定时 - TDC架构统一框架与VernierΣΔ方法 — TDC 建模 - 数字PLL传递函数与稳定性 — DPL… | ADPLL, 行为建模, Simulink, S-function, 事件驱动, DCO |
| ADPLL相位数字化架构 | 前置知识： - PLL基本结构与传递函数 — PLL 基本架构和传递函数框架 - 环路滤波器与电荷泵PLL — 模拟 CP-PLL 作为 ADPLL 的对照 - 数字CMOS PLL架构与… | ADPLL, PLL, 相位数字化, TDC, PFD, 累加器 |
| ADPLL相位噪声解析预测 | 前置知识： - ADPLL相位数字化架构 — ADPLL 四种架构的相位数字化原理 - PLL基本结构与传递函数 — PLL 频域分析方法 - 相位噪声对PLL影响 — 加性噪声在 PLL… | ADPLL, 相位噪声, TDC, DCO, 量化噪声, 线性模型 |
| CMOS反相器与数字逻辑 | 前置知识： - MOS晶体管模型与特性 — MOS 开关特性、R{eff} 模型 - CMOS工艺与器件 — 阱/有源区/多晶硅版图 | CMOS, 数字电路, 反相器, 逻辑门, 传输门, 触发器 |
| CMOS特殊电路 | 前置知识： - CMOS反相器与数字逻辑 — 反相器、传输门 - MOS晶体管模型与特性 — 跨导、导通电阻 - 偏置电路与电流基准 — 电流源偏置 | CMOS, 施密特触发器, 电荷泵, 振荡器, 比较器, 乘法器 |
| CMOS温度传感器原型芯片实现 | 前置知识： - CMOS智能温度传感器原理 — 温度传感前端原理 - CMOS温度传感器ΣΔADC与电路实现 — ΣΔ ADC 与精密电路 - 双极晶体管大信号特性 — BJT 物理与建模 | CMOS, 温度传感器, Pertijs, 原型芯片, ΣΔ, DEM |
| CT-ΔΣ嵌入式有源滤波技术 | 传统无线接收机中，模拟低通滤波器（LPF） 置于 ADC 之前以衰减干扰信号。这种”前置滤波”方案简单但存在固有缺点： | ΔΣ, CT-ΔΣ, 有源滤波, 嵌入式滤波, 干扰抑制, STF整形 |
| ESD仿真方法与设计流程 | 前置知识： - ESD基础概念与设计原则 — ESD 物理本质与设计原则 - ESD测试模型与系统级模型 — ESD 模型参数 - ESD器件Snapback机制与失效判据 — 保护器件物理 | ESD, TCAD, 混合模式仿真, 器件校准, 芯片级ESD仿真, 分布式ESD网络 |
| ESD器件Snapback机制与失效判据 | 前置知识： - ESD基础概念与设计原则 — ESD 物理本质 - ESD先进CMOS技术挑战 — 工艺缩放的 ESD 挑战 - pn结电流电压特性与击穿 — pn 结物理 | ESD, Snapback, GGNMOS, SCR, LVTSCR, 二次击穿 |
| ESD先进CMOS技术挑战 | 前置知识： - ESD基础概念与设计原则 — ESD 物理本质与基本设计原则 - CMOS工艺与器件 — CMOS 工艺基础 | ESD, CMOS工艺缩放, Cu互连, low-k介质, ESD设计窗口, 栅氧击穿 |
| FBAR无PLL快速启动频率合成器 | WSN 节点大部分时间处于睡眠模式，周期性地唤醒发送数据。PLL 频率合成器需要晶振参考 → 晶振启动时间（数 ms）→ 能量开销超过数据通信本身。 | FBAR, 频率合成器, PLL-Free, 快速启动, 无线传感器, WSN |
| Hossein Sarbishaei | Hossein Sarbishaei 是滑铁卢大学（University of Waterloo）的研究人员，专注于高速 I/O 接口的 ESD 保护设计。 | ESD, 滑铁卢大学, CMOS, 高速IO |
| IMPATT二极管与微波二极管 | 前置知识： - pn结电流电压特性与击穿 — 雪崩击穿与碰撞电离基础 - 隧道二极管与共振隧道二极管 — 另一类微波负阻器件 - 半导体载流子输运现象 — 碰撞电离、饱和速度 | 半导体器件, IMPATT, BARITT, TUNNETT, 微波振荡器, 雪崩击穿 |
| JFET MESFET与MODFET | 前置知识： - pn结耗尽区分析 — JFET 的 p-n 结耗尽区 - 金属半导体接触与肖特基势垒 — MESFET 的肖特基势垒 - 半导体异质结与纳米结构 — MODFET 的异质结… | 半导体器件, JFET, MESFET, MODFET, 2DEG, GaAs |
| LHC探测器前端放大器 | - 电荷灵敏放大器（CSA）：积分输入电荷 → 电压脉冲 - 脉冲成形器（Shaper）：优化信噪比，限制脉冲宽度 - 甄别器（Discriminator）：阈值比较 → 数字信号输出 | CERN, LHC, 希格斯玻色子, 前端放大器, 探测器读出, 辐射环境 |
| LPTV系统与CT-ΔΣ混叠分析 | 上下文：附录C 为全书最理论性的章节之一，为 Ch.8-Ch.10 的 CT-ΔΣ 分析提供严格理论基础。 | ΔΣ, LPTV, 线性周期时变, 混叠抑制, CT-ΔΣ, 谐波传递函数 |
| Manoj Sachdev | Manoj Sachdev 是滑铁卢大学（University of Waterloo）电气与计算机工程系的教授，IEEE Fellow，CMOS 设计与可靠性组（CMOS Design … | ESD, 滑铁卢大学, CMOS, 可靠性, 低功耗 |
| MEMS振荡器温度补偿TDC | - NPN 双极晶体管作为感温元件（\Delta V{\text{BE}} 原理） - 新型 DEM 方案避免 DEM 音调与调制器比特流互调 | TDC, 温度数字转换器, MEMS振荡器, TCXO, 温度补偿, SiTime |
| MIS电容器与MOS结构 | 前置知识： - 半导体载流子浓度与费米能级 — 费米能级、载流子统计 - pn结耗尽区分析 — 耗尽层近似、泊松方程求解 - CMOS工艺与器件 — MOS 电容在 CMOS 中的应用 | 半导体物理, MIS, MOS, 界面态, C-V特性, 平带电压 |
| MOSFET器件物理与缩放 | 前置知识： - MIS电容器与MOS结构 — MOS 电容与能带分析 - 半导体载流子输运现象 — 迁移率、速度饱和 - 短沟道效应与弱反型 — 已有 Gray/Razavi 视角 | 半导体器件, MOSFET, 阈值电压, 缩放, SOI, FinFET |
| N-Path滤波器原理与设计 | - 将基带低通特性通过开关混频上变频至载波频率 fs - 带通中心频率由开关时钟频率决定 → 频率可编程 - Q 值由基带电容决定 → 高 Q 值 | N-Path滤波器, LPTV, 可编程RF滤波, 高Q, 认知无线电, Klumperink |
| Oleg Semenov | Oleg Semenov 是滑铁卢大学（University of Waterloo）电气与计算机工程系的学者，专注于 CMOS 设计与可靠性领域的研究。 | ESD, 滑铁卢大学, CMOS, 可靠性 |
| Opamp与Gm-Block与CMOS反相器设计选择 | - 单管 FOM： \text{FOM} = \frac{\text{GBW} \cdot CL}{I{\text{DD}}} (MHz·pF/mA) - 弱反型：~4500 - IC=1… | 运放, Gm, 反相器, 设计选择, 弱反型, FOM |
| pn结电流电压特性与击穿 | 前置知识： - 半导体载流子浓度与费米能级 — 载流子统计、费米能级 - 半导体载流子输运现象 — 漂移、扩散、复合、隧道效应 - pn结耗尽区分析 — 耗尽区宽度、电容、击穿基础 | 半导体物理, pn结, I-V特性, 雪崩击穿, 隧道击穿, 异质结 |
| PTAT与CTAT电流生成 | 基准源的一切都始于”温度系数可控的电流”。双极晶体管提供两种天然温度特性的电流：CTAT（V{BE}/R，负温度系数）与 PTAT（\Delta V{BE}/R，正温度系数）。两者按比例加… | 模拟电路/基准源, 模拟电路/偏置 |
| RF功率放大器效率增强技术 | 1. 低电压 vs 高功率：CMOS 薄氧化层器件 V{\text{DD}} < 1.8V → 需要功率合成 2. 效率-线性度折中：高效率（Class E/F）vs 高线性度（Class… | 功率放大器, RF, mm-Wave, Doherty, 功率合成, 效率增强 |
| Smart-DEM算法用于增量ADC | 在增量型 ADC 中，每一次转换开始时积分器被复位。DAC 单元失配误差在第 k 个时钟周期注入的 权重 取决于它在积分链中的累积方式： | DEM, 动态元件匹配, 增量ADC, Smart-DEM, DAC失配, Bonizzoni |
| TDC高级架构 | 前置知识： - TDC架构统一框架与VernierΣΔ方法 — TDC 基础架构 - TDC性能指标与误差分析 — DNL/INL/SSP/PVT 分析 - 数字CMOS PLL架构与TD… | TDC, 双极TDC, 环路TDC, DLL-TDC, 层次化TDC, 多事件TDC |
| TDC架构统一框架与VernierΣΔ方法 | 前置知识： - 数字CMOS PLL架构与TDC-DCO设计 — TDC 基本概念 - ADPLL相位数字化架构 — ADPLL 中 TDC 的角色 - 反馈噪声整形与MOD1深度分析 —… | TDC, Vernier, ΣΔ, 时间数字转换器, GRO, 脉冲收缩 |
| TDC性能指标与误差分析 | 前置知识： - TDC架构统一框架与VernierΣΔ方法 — TDC 架构分类 - 数字CMOS PLL架构与TDC-DCO设计 — TDC 基本概念 | TDC, DNL, INL, SSP, ENOB, FoM |
| WBAN超低功耗无线SoC | - 多模 RF 前端（覆盖不同 WBAN 频段） - 数字基带处理器 - 电源管理单元 - 传感器接口（ADC/模拟前端） | WBAN, 无线体域网, 物联网, 超低功耗, SoC, 65nm |
| ΔΣ工具箱 (delsig) | 上下文：附录B 详细描述了该工具箱的全部函数接口、参数含义和使用示例。该工具箱在全书各章节的设计示例中广泛使用。 | ΔΣ, MATLAB, 工具箱, NTF综合, 仿真, delsig |