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PTAT与CTAT电流生成
PTAT与CTAT电流生成 基准源的一切都始于”温度系数可控的电流”。双极晶体管提供两种天然温度特性的电流：CTAT（VBE/R，负温度系数）与 PTAT（ΔVBE/R，正温度系数）。两者按比例加权即可构造零温度系数参考，这是带隙基准的物理基础。 前后关系 前置知识：双极晶体管大信号特性（VBE 的 −2 mV/°C 温度特性）、MOS晶体管模型与特性（亚阈值指数特性） 后续延伸：带隙基准设计（PTAT + CTAT 加权）、偏置网络系统设计（PTAT 偏置对 g_m 的作用） 外部关联：基准源知识地图（本页所属 hub） CTAT：V_BE 基电流 VBE 的温度特性（一阶近似）： ...
偏置网络系统设计
偏置网络系统设计 单点基准只有经过分配网络才能服务整个系统：一个主参考电流通过电流镜复制、按支路缩放，送到输入级、中间级、输出级与辅助电路。分配网络的电源抑制、噪声与失配会逐级污染偏置质量——这是”系统级偏置设计”与”单个基准电路”的分界线。 前后关系 前置知识：自偏置与启动电路（主偏置来源）、电流镜基础与Cascode电流镜（复制与缩放）、运算放大器设计基础（各级偏置需求） 后续延伸：全差分运放与共模反馈（CMFB 偏置）、输出级设计（静态电流设定） 外部关联：基准源知识地图（hub） 典型偏置网络结构 带隙基准 ──→ 主参考电流 ──→ 输入级偏置 (TC≈0) ├── 中间级偏置 ├─...
基准源知识地图
基准源知识地图 基准源（bias & reference）是模拟/混合信号电路的”工作点基础设施”：任何放大器、比较器、数据转换器都需要一个与电源电压、温度、工艺偏差尽量无关的电流或电压参考。本页是基准源主题的导航枢纽，不展开推导；各子主题按「电流生成 → 电压基准 → 自偏置/启动 → 系统分配 → 误差与对比」组织。 前后关系 前置知识：MOS晶体管模型与特性（平方律/亚阈值特性）、双极晶体管大信号特性（VBE 温度特性） 后续延伸：带隙基准设计（零 TC 电压基准）、偏置网络系统设计（多支路分配与 PSRR） 外部关联：偏置电路与电流基准（本主题历史综述页）、LDO稳压器设计技...
带隙基准设计
带隙基准设计 带隙基准（bandgap reference）把负温度系数的 VBE 与正温度系数的 ΔVBE 按比例相加，得到一阶零温度系数的参考电压。它是模拟 IC 中精度最高的基础参考源，也是 低压与曲率补偿带隙 与 带隙基准误差预算 的基准形态。 前后关系 前置知识：PTAT与CTAT电流生成（VBE/ΔVBE 的温度特性）、运算放大器设计基础（钳位运放的失调与增益） 后续延伸：带隙基准误差预算（误差分解）、低压与曲率补偿带隙（<1.2V 与曲率校正） 外部关联：基准源知识地图（hub）、LDO稳压器设计技术（基准的系统应用） 核心原理 VREF=VBE+K⋅ΔVBE...
自偏置与启动电路
自偏置与启动电路 自偏置（self-biased）电路用正反馈环路从电源产生偏置电流，无需外部参考；代价是存在零电流简并态，因此必须配套启动电路（startup circuit）。本页基于 Gray §4.7.5-4.7.6，并综合 Rincon-Mora 与 Ivanov 的工程判据。 前后关系 前置知识：电流镜基础与Cascode电流镜（M3-M4 1:1 镜像）、双极晶体管大信号特性（VBE 温度项） 后续延伸：偏置网络系统设计（多支路分配与 PSRR）、带隙基准设计（基准源应用） 外部关联：基准源知识地图（本页所属 hub） 原理与推导 β 倍乘自偏置 VGS1=VGS2+ID2...