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MOS反型系数与EKV模型
MOS 反型系数与 EKV 模型 反型系数（inversion coefficient）i 用一个无量纲数把 MOS 晶体管的弱反型、中反型和强反型连成一条连续曲线。它既是 Sansen 全书 gm/ID 设计法的数学支点，也是 Binkley 优化方法的核心变量。本文综合 Sansen Ch1 MOST与双极型晶体管模型对比 深度解析 §4 与 Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（上），给出统一定义、EKV 插值、跨导效率与设计流程。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — 平方律、gm、ro 的强反型基准 短沟道效应与弱反型 — 亚阈值指数导电与速度饱和的物...
Binkley Ch2 — MOS全反型区设计
Binkley Ch2 — MOS Design from Weak through Strong Inversion 本章引入 MOS 全反型区设计的概念，对比双极与 MOS 晶体管的设计复杂度差异，推导弱反型→中反型→强反型的漏极电流和跨导表达式，并回顾已有的 EDA 工具和设计方法。 核心贡献 MOS vs 双极设计复杂度对比：双极晶体管只需选择集电极电流 IC（gm/IC=1/UT≈38.6V−1 恒定），而 MOS 晶体管需要选择漏极电流 ID、反型系数 IC 和沟道长度 L 三个独立自由度——这是 MOS 设计复杂度远高于双极的根本原因。 gm/ID 效率跨反型区统一...
Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（上）
Binkley Ch3 — MOS Performance vs ID, IC, L（上篇：工艺参数/IC/尺寸/偏置/小信号/增益） 本章是全书最核心的章节（约250页），涵盖从工艺参数到漏电流共12个维度的MOS性能表达式。上篇覆盖§3.2-§3.8：反型系数方法论、工艺参数、尺寸关系、偏置电压、小信号参数和本征增益。 §3.2 选择 ID/IC/L 的优势 三自由度解耦方法论 传统设计选择 ID、W、L，但 ID 和 W 的改变都会影响 IC，使优化方向模糊。Binkley 的方法将 ID、IC、L 作为独立、非耦合的设计自由度，W 由三者显式计算： W=I0⋅ICID⋅L...
Binkley Tradeoffs and Optimization in Analog CMOS Design 深度解析
Binkley《Tradeoffs and Optimization in Analog CMOS Design》深度解析 David M. Binkley. Tradeoffs and Optimization in Analog CMOS Design.