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MOS反型系数与EKV模型
MOS 反型系数与 EKV 模型 反型系数（inversion coefficient）i 用一个无量纲数把 MOS 晶体管的弱反型、中反型和强反型连成一条连续曲线。它既是 Sansen 全书 gm/ID 设计法的数学支点，也是 Binkley 优化方法的核心变量。本文综合 Sansen Ch1 MOST与双极型晶体管模型对比 深度解析 §4 与 Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（上），给出统一定义、EKV 插值、跨导效率与设计流程。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — 平方律、gm、ro 的强反型基准 短沟道效应与弱反型 — 亚阈值指数导电与速度饱和的物...
Sansen 模拟集成电路设计精粹 深度解析
Sansen 模拟集成电路设计精粹 深度解析 模拟集成电路设计精粹（Analog Design Essentials）是 Willy Sansen（KULeuven, ESAT-MICAS）的代表作，Springer 2006 年出版。该书以电路设计方法论著称，强调 gm/ID 设计方法学和系统化设计流程，在全球微电子工程教育中影响深远。本套资源为 Sansen 授课讲义幻灯片（PowerPoint 转 PDF），内容覆盖从器件模型到混合信号耦合的完整模拟 IC 设计知识体系。 书籍定位 属性内容全称Analog Design Essentials（The Springer Interna...