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MOS晶体管频率特性与f_T
MOS 晶体管频率特性与 fT 过渡频率 fT 是晶体管电流增益降到 1 的频率，也是模拟设计中最常用的速度指标。它由 gm/CGS 决定，因而同时受偏置点（反型系数）、沟道长度、速度饱和与版图寄生控制。本文基于 Sansen Ch.1 §5-§6，给出从电容网络到 fT、fmax 的完整设计视角。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — gm、CGS、CGD 的定义 短沟道效应与弱反型 — 速度饱和与 gmsat MOS反型系数与EKV模型 — i 与 gm/ID 后续延伸： 射频放大器与LNA设计 — 用 fT 估算源极退化电感 宽带放大器技术 — 用 ...