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MOS晶体管频率特性与f_T
MOS 晶体管频率特性与 fT 过渡频率 fT 是晶体管电流增益降到 1 的频率，也是模拟设计中最常用的速度指标。它由 gm/CGS 决定，因而同时受偏置点（反型系数）、沟道长度、速度饱和与版图寄生控制。本文基于 Sansen Ch.1 §5-§6，给出从电容网络到 fT、fmax 的完整设计视角。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — gm、CGS、CGD 的定义 短沟道效应与弱反型 — 速度饱和与 gmsat MOS反型系数与EKV模型 — i 与 gm/ID 后续延伸： 射频放大器与LNA设计 — 用 fT 估算源极退化电感 宽带放大器技术 — 用 ...
高速IO接口ESD保护设计
高速IO接口ESD保护设计 Semenov 补充 | 来源: Semenov et al., ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies, Ch.6 概述 高速 I/O 电路中，ESD 保护电路的寄生参数（尤其是寄生电容）对主电路性能的影响极为显著。ESD 保护电路在 I/O 焊盘上添加的额外寄生电容——主要是反偏 PN 结电容——具有高度非线性，不仅限制频率响应，还会降低线性度。本章通过三个案例研究（12-bit 20 MS/s ADC、14-bit 125 MS/s ADC 的 Volter...