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CMOS工艺与器件
CMOS 工艺与器件 CMOS（互补金属-氧化物-半导体）技术是当今绝大多数集成电路的工艺基础。CMOS 在同一芯片上同时提供 NMOS 和 PMOS 晶体管，具有静态功耗极低的优点。对于模拟电路，CMOS 提供高输入阻抗的 MOS 管、高质量的开关和电容、以及与数字电路单片集成的能力。理解 CMOS 工艺的制造流程、器件特性、无源元件和闩锁效应，是现代模拟 IC 设计的基本素养。本文基于 Gray §2.8-§2.10 提炼。 前后关系 前置知识： IC制造基础工艺（§2.2）— 氧化、光刻、多晶硅、离子注入 MOS晶体管模型与特性（§1.5-§1.6）— MOS 器件电特性 短沟道效应与弱...
射频电路ESD保护设计
射频电路ESD保护设计 Semenov 补充 | 来源: Semenov et al., ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies, Ch.8 概述 射频接收器中，低噪声放大器 (LNA) 是第一级模块，对 ESD 保护电路的寄生参数最为敏感。ESD 保护添加的额外寄生电容和电阻会退化 LNA 的输入匹配、增益和噪声性能。本章聚焦于窄带 LNA 的 ESD 保护策略，利用 RF 信号与 ESD 信号在频率和能量上的差异实现协同设计。 两种信号的主要差异： 能量/电压：ESD 信号电压极高 → ...
智能功率IC ESD保护设计
智能功率IC ESD保护设计 Semenov 补充 | 来源: Semenov et al., ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies, Ch.7 概述 智能功率（Smart Power）技术在同一芯片上集成 CMOS 逻辑、低压模拟和高压驱动晶体管（VDD≈1.8-5 V 的低压器件和 VDD≈20-60 V 的高压器件）。典型应用包括工业功率执行器、可编程逻辑控制器、汽车电子和 LCD 驱动 IC。 ESD 保护策略分为两类： 非自保护方案：在 I/O 单元外额外添加 ESD 保护器...
高速IO接口ESD保护设计
高速IO接口ESD保护设计 Semenov 补充 | 来源: Semenov et al., ESD Protection Device and Circuit Design for Advanced CMOS Technologies, Ch.6 概述 高速 I/O 电路中，ESD 保护电路的寄生参数（尤其是寄生电容）对主电路性能的影响极为显著。ESD 保护电路在 I/O 焊盘上添加的额外寄生电容——主要是反偏 PN 结电容——具有高度非线性，不仅限制频率响应，还会降低线性度。本章通过三个案例研究（12-bit 20 MS/s ADC、14-bit 125 MS/s ADC 的 Volter...