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MOST与Bipolar晶体管模型对比
MOST 与 Bipolar 晶体管模型对比 MOS 与双极型晶体管（BJT）的核心差异不在“谁更先进”，而在跨导效率、输入阻抗、本征增益、最低工作电压与速度这五个维度的取舍。Sansen Ch.1 用同一组小信号参数把两类器件放在一张表里比较，本章给出可直接用于工艺选型与偏置预算的结论。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — gm、ro、CGS 双极晶体管小信号模型 — gm、rπ、ro、Cπ MOS反型系数与EKV模型 — gm/ID 的连续谱 后续延伸： 带隙基准设计 — 利用 BJT 的 VBE 与 ΔVBE BiCMOS技术HBT与互连 — 两类器件...