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MOST与Bipolar晶体管模型对比
MOST 与 Bipolar 晶体管模型对比 MOS 与双极型晶体管（BJT）的核心差异不在“谁更先进”，而在跨导效率、输入阻抗、本征增益、最低工作电压与速度这五个维度的取舍。Sansen Ch.1 用同一组小信号参数把两类器件放在一张表里比较，本章给出可直接用于工艺选型与偏置预算的结论。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性 — gm、ro、CGS 双极晶体管小信号模型 — gm、rπ、ro、Cπ MOS反型系数与EKV模型 — gm/ID 的连续谱 后续延伸： 带隙基准设计 — 利用 BJT 的 VBE 与 ΔVBE BiCMOS技术HBT与互连 — 两类器件...
Sansen Ch1 MOST与双极型晶体管模型对比 深度解析
Sansen Ch.1：MOST 与双极型晶体管模型对比 来源：W.
Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析
Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析 Physics of Semiconductor Devices（Third Edition, 2007）是 S. M. Sze 与 Kwok K.
双极晶体管大信号特性
双极晶体管大信号特性 双极晶体管（BJT）的大信号特性描述了其直流（DC）行为，包括正向有源区、饱和区、反向有源区的电流-电压关系，以及击穿电压、Early 效应和电流增益随工作条件的变化规律。这些特性是所有双极模拟电路（运放、带隙基准、电流镜、输出级）偏置分析的基础。本文基于 Gray §1.3 提炼。 前后关系 前置知识： pn结耗尽区分析（§1.2）— pn 结耗尽区决定击穿和 Early 效应 半导体物理：少数载流子扩散、玻尔兹曼近似 本书内部链条： 双极晶体管大信号特性（本文，§1.3）→ 双极晶体管小信号模型（§1.4）— 小信号参数 g_m/r_π/r_o 由大信号偏置决定 → ...
双极晶体管小信号模型
双极晶体管小信号模型 当信号幅度远小于偏置点（∣ΔVBE∣<VT≈26 mV）时，BJT 的非线性大信号特性可以线性化为小信号等效电路。Hybrid-π 模型是 BJT 最常用的小信号模型，其参数直接由偏置点（I_C、V_CE）决定。正确理解和运用小信号模型是模拟 IC 设计的核心技能。本文基于 Gray §1.4 提炼。 前后关系 前置知识： 双极晶体管大信号特性（§1.3）— 小信号参数由大信号偏置点决定 pn结耗尽区分析（§1.2）— 耗尽电容构成寄生参数 本书内部链条： 双极晶体管小信号模型（本文，§1.4）→ 单管与多管放大器（Ch.3）— 用模型计算增益和阻抗 → 电流镜...