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CircuiTikZ 迁移评估
CircuiTikZ 迁移评估 结论先行：全库 CircuiTikZ 存量极小（582 页中 1 页 / 3 个图），自动转换成功率 0%；失败的根因是转换器不支持命名节点锚点（(SUM1.west) 等），而非拓扑不可表达。建议长期共存：存量保留 LaTeX 管线，不做批量迁移；新图一律走 circuit-project（Agent 路径 A/D）。 2026-10-20 续：其中 2 个框图（Fig 10.48/10.51）已通过 路径 D（agent 事务 + 草稿图元） 重绘为工程并替换为 circuit-project；OTA 原理图（Fig 3）保留 LaTeX 管线，详见 §3。...
低压与曲率补偿带隙
低压与曲率补偿带隙 传统带隙输出约 1.25 V，在 VDD<1.5 V 的先进工艺中不可用；同时一阶补偿后残留的曲率项（±0.5–2 mV）限制了精度上限。本页汇总两条进阶路线：低压拓扑与曲率校正，并给出多教材方案的取舍。 前后关系 前置知识：带隙基准设计（一阶补偿原理）、PTAT与CTAT电流生成（PTAT² 与温度系数） 后续延伸：带隙基准误差预算（误差与修调） 外部关联：基准源知识地图（hub）、CMOS电压参考系统设计与误差分析（系统级误差视角）、温度补偿与亚1V基准设计技术 低压拓扑（三种主流方案） 方案原理优点代价电阻分压输出对 VREF≈1.25 V 分压最简单噪声与...